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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
摘要：本发明公开了一种高可靠大功率三维异构集成射频天线一体化微系统，包括：DPC基板、铜基三维结构、两级SiC转接板、裸芯片、射频电路、无源器件和天线接口；其中，DPC基板用于实现微系统的一体化三维异构集成；铜基三维结构包括：三维同轴传输结构和三维封装围框结构，用于实现大功率射频信号垂直传输和微系统气密封装围框；两级SiC转接板用于实现2.5D×2的5层超高密度混合三维堆叠架构；裸芯片包括：硅基Fan‑out多功能裸芯片、电源管理裸芯片、功放裸芯片和接收裸芯片；射频电路包括：射频发射电路和射频接收电路。本发明形成了完整的一体化气密封装微系统，同时实现了高可靠、高密度集成和大功率散热。
主权项：1.一种高可靠大功率三维异构集成射频天线一体化微系统，其特征在于，包括：DPC基板、铜基三维结构、两级SiC转接板、裸芯片、射频电路、无源器件和天线接口；其中，DPC基板包括：DPC上基板、DPC中基板和DPC下基板，用于通过5层堆叠一体化封装架构实现微系统的一体化三维异构集成；铜基三维结构包括：三维同轴传输结构和三维封装围框结构，用于实现大功率射频信号垂直传输和微系统气密封装围框；两级SiC转接板为高导热SiC转接板，包括：第1级SiC转接板和第2级SiC转接板，用于实现2.5D×2的5层超高密度混合三维堆叠架构；裸芯片包括：硅基Fan-out多功能裸芯片、电源管理裸芯片、功放裸芯片和接收裸芯片；射频电路包括：射频发射电路和射频接收电路；其中，射频发射电路和两级SiC转接板按照2.5D×2共5层混合三维堆叠架构组装到DPC下基板的上方；第1级SiC转接板和功放裸芯片直接堆叠在DPC下基板的上方；硅基Fan-out多功能裸芯片通过倒装焊方式组装在第1级SiC转接板的上方；第2级SiC转接板堆叠在硅基Fan-out多功能裸芯片的上方；电源管理裸芯片通过倒装焊方式组装在第2级SiC转接板的上方；功放裸芯片通过引线键合方式和DPC下基板与两级SiC转接板互连；射频接收电路组装到DPC上基板的下方，通过引线键合方式和DPC上基板互连；天线接口从DPC上基板的上方扇出。
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权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第五十五研究所 高可靠大功率三维异构集成射频天线一体化微系统
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