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申请/专利权人：江苏永鼎股份有限公司
摘要：本申请提供了一种用于VCSEL芯片制造的湿法氧化孔径控制方法，涉及孔径控制技术领域，包括：连接湿法氧化工艺设备，与气体过滤器连接，对气体介质进行过滤；获取芯片预设反应区域，确定预设孔径参数；将过滤后的气体介质输送至氧化反应室，确定工艺控制参数；根据污染物监测反馈单元对工艺控制参数进行调整，获取优化工艺控制参数；氧化反应室按照优化工艺控制参数对VCSEL芯片进行湿法氧化。通过本申请可以解决现有技术中由于湿法氧化工艺在气液介质污染控制方面存在不足，导致孔径控制精度不高的技术问题，通过气体过滤，利用污染物监测反馈单元调节氧化过程的控制参数，实现了工艺控制参数的优化，提高了孔径控制的精度。
主权项：1.一种用于VCSEL芯片制造的湿法氧化孔径控制方法，其特征在于，包括：连接湿法氧化工艺设备，将所述湿法氧化工艺设备与气体过滤器连接，根据所述气体过滤器对通入所述湿法氧化工艺设备的气体介质进行过滤，获取过滤后的气体介质，其中，气体介质包括氧气、水蒸气；获取芯片预设反应区域，基于所述芯片预设反应区域，确定预设孔径参数；将过滤后的气体介质输送至所述湿法氧化工艺设备的氧化反应室，根据所述预设孔径参数，确定所述氧化反应室的工艺控制参数，其中，工艺控制参数包括温度、气体流速和水蒸气浓度；根据污染物监测反馈单元对所述氧化反应室的工艺控制参数进行调整，获取优化工艺控制参数；所述氧化反应室按照所述优化工艺控制参数对所述VCSEL芯片进行湿法氧化。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏永鼎股份有限公司 一种用于VCSEL芯片制造的湿法氧化孔径控制方法
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