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申请/专利权人：中南大学
摘要：本发明涉及一种激光粉末床熔融制备Si掺杂磁致伸缩Fe‑Ga合金的方法，属于增材制造领域。本发明首次提出激光粉末床熔融技术制备具有电阻率和磁致伸缩应变最佳组合的多晶Fe‑Ga‑Si合金，所制备的合金显示出增强的电子散射效应和减少的传导电子数量，以及001择优取向柱状晶粒，获得了电阻率104.5±4.1μΩ·cm和磁致伸缩应变73ppm的最优组合。本发明不仅赋予了合金增强的电阻率和磁致伸缩应变，也能够实现外形和结构的个性化定制，为优良综合性能和个性化结构的磁致伸缩合金一体化制造提供新的见解。同时，本发明成分简单、工艺可控，便于大规模工业化应用。
主权项：1.一种激光粉末床熔融制备Si掺杂磁致伸缩Fe-Ga合金的方法，其特征在于：所述Fe-Ga-Si合金中，Fe与Ga的原子比为70～90:30～10，Si含量为0.05～3at.％所述Fe-Ga-Si合金中，Si全部固溶于合金之中；所述Fe-Ga-Si合金通过下述步骤制备：1采用制粉工艺制备Fe-Ga预合金粉末，预合金粉末粒度为10～90μm；2按照设定组分将Si粉添加至Fe-Ga预合金粉末中，并利用球磨机进行混合，得到混合均匀的Fe-Ga-Si粉末，3以上述Fe-Ga-Si粉末为原料，在保护气氛下，通过激光粉末床熔融制备得到Fe-Ga-Si合金。制备过程中，控制激光功率为80～155W，扫描速度为30～200mms，扫描间距为20～90μm，激光光斑直径为50～100μm，层厚为50～150μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中南大学 一种激光粉末床熔融制备Si掺杂磁致伸缩Fe-Ga合金的方法
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