龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
摘要：本发明涉及半导体制备技术领域，尤其是涉及一种三维结构保形性硼掺杂方法及其应用，去除硅基三维衬底表面氧化层；在硅基三维衬底表面形成第一叠层薄膜；在第一叠层薄膜远离硅基三维衬底一侧的表面形成第二叠层薄膜；在第二叠层薄膜远离第一叠层薄膜一侧的表面沉积氧化铝钝化层；利用激光或快速退火将含氧化硼的硼杂质穿过辅助层推进到硅基三维衬底中，以对硅基三维衬底进行硼掺杂；其中，第一叠层薄膜为依次交错设置的氧化硅层和氧化硼层；第二叠层薄膜为依次交错设置的氧化铝层和氧化硼层。本发明不仅解决了等离子体增强ALD在三维结构沉积上存在阴影效应不能实现保形沉积的问题，而且消除了等离子体对器件的损伤等问题。
主权项：1.一种三维结构保形性硼掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、去除硅基三维衬底表面氧化层；S2、在硅基三维衬底表面形成第一叠层薄膜；S3、在第一叠层薄膜远离硅基三维衬底一侧的表面形成第二叠层薄膜；S4、在第二叠层薄膜远离第一叠层薄膜一侧的表面沉积氧化铝钝化层；S5、利用激光或快速退火将含氧化硼的硼杂质穿过辅助层推进到硅基三维衬底中，以对硅基三维衬底进行硼掺杂；其中，第一叠层薄膜为依次交错设置的氧化硅层和氧化硼层；第二叠层薄膜为依次交错设置的氧化铝层和氧化硼层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 中国科学院微电子研究所 一种三维结构保形性硼掺杂方法及其应用
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号