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申请/专利权人：珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司
摘要：本申请提供了一种直拉单晶硅生长的控制方法、装置和电子设备。控制方法包括：获取单晶硅在等径生长阶段生长的实际速度和临界速度，临界速度为单晶硅出现断棱时的生长速度；根据实际速度和目标速度的差值，确定单晶硅在等径生长阶段的生长速度偏差值；根据临界速度和目标速度的差值，确定单晶硅在等径生长阶段的生长速度偏差阈值；判断生长速度偏差值是否大于生长速度偏差阈值，得到第一判断结果；在第一判断结果指示为是的情况下，按照第一预设程序调节单晶硅所处热系统的加热功率至第一功率，以使单晶硅的生长速度为第一速度，第一速度和目标速度的差值小于或等于生长速度偏差阈值，其中，热系统的加热功率和单晶硅的生长速度具有预设映射关系。
主权项：1.一种直拉单晶硅生长的控制方法，其特征在于，包括：获取所述单晶硅在等径生长阶段生长的实际速度和临界速度，所述临界速度为所述单晶硅出现断棱时的生长速度；根据所述实际速度和目标速度的差值，确定所述单晶硅在所述等径生长阶段的生长速度偏差值；根据所述临界速度和所述目标速度的差值，确定所述单晶硅在所述等径生长阶段的生长速度偏差阈值；判断所述生长速度偏差值是否大于所述生长速度偏差阈值，得到第一判断结果；在所述第一判断结果指示为是的情况下，按照第一预设程序调节所述单晶硅所处热系统的加热功率至第一功率，以使所述单晶硅的生长速度为第一速度，所述第一速度和所述目标速度的差值小于或等于所述生长速度偏差阈值，其中，所述热系统的所述加热功率和所述单晶硅的生长速度具有预设映射关系。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 珠海富山爱旭太阳能科技有限公司 广东爱旭科技有限公司 浙江爱旭太阳能科技有限公司 天津爱旭太阳能科技有限公司 直拉单晶硅生长的控制方法、装置和电子设备
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