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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本公开涉及半导体集成电路器件及其制造方法。一种半导体集成电路器件可以包括目标精细图案和相邻精细图案。目标精细图案可以具有第一宽度、第一长度和第一高度。第一宽度可以朝下部区域逐渐减小。第一长度可以朝下部区域逐渐增加。第一高度可以大于第一宽度和第一长度。相邻精细图案可以沿着长度方向与目标精细图案接触。相邻精细图案可以具有第二宽度、第二长度和第一高度。第二宽度可以朝下部区域逐渐减小。第二长度可以朝下部区域逐渐减小。
主权项：1.一种半导体集成电路器件，包括：目标精细图案，其具有第一宽度、第一长度和第一高度，所述第一宽度朝所述目标精细图案的下部区域逐渐减小，所述第一长度朝所述目标精细图案的下部区域逐渐增加，所述第一高度大于所述第一长度的最大值和所述第一宽度的最大值；以及相邻精细图案，其沿着长度方向与所述目标精细图案接触，所述相邻精细图案具有第二宽度、第二长度和第一高度，所述第二宽度朝所述相邻精细图案的下部区域逐渐减小，所述第二长度朝所述相邻精细图案的下部区域逐渐减小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体集成电路器件及其制造方法
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