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申请/专利权人：厦门大学
摘要：本实用新型公开了一种硅基弱紫外成像阵列器，由10×10个单元构成，每个单元均由硅衬底、硅纳米锥结构、离子注入区、氧化铝薄膜以及金电极构成，硅纳米锥结构由尺寸与紫外波长匹配的纳米孔结构与微米孔结构分层复合所得，离子注入区包括P型掺杂区和N型掺杂区，P型掺杂区位于硅片正面，N型掺杂区位于硅片背面；氧化铝薄膜共形沉积在硅纳米锥结构的上方，形成钝化层；金电极包括设置在硅片正面的上电极和设置在硅片背面的下电极。利用独有的硅纳米锥表面，提高了紫外光初始吸收效率。并形成高质量的氧化铝异质结薄膜，不仅起到钝化层的作用，减少表面复合，同时引入外电场，加速载流子移动能力，有效调控载流子的运输，减少内部俄歇复合。
主权项：1.一种硅基弱紫外成像阵列器，其特征在于：该阵列器由10×10个单元构成，每个单元均由硅衬底、硅纳米锥结构、离子注入区、氧化铝薄膜以及金电极构成，所述硅纳米锥结构由尺寸与紫外波长匹配的纳米孔结构与微米孔结构分层复合所得，所述离子注入区包括P型掺杂区和N型掺杂区，P型掺杂区位于硅片正面，N型掺杂区位于硅片背面；所述氧化铝薄膜共形沉积在硅纳米锥结构的上方，形成钝化层；所述金电极包括设置在硅片正面的上电极和设置在硅片背面的下电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门大学 一种硅基弱紫外成像阵列器
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