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申请/专利权人:湖南科技大学
摘要:本发明公开的一种反时限延时控制电路包括信号采样检测电路、运算放大器、第一比较器、PMOS管P1、NMOS管N1、NMOS管N2以及多条镜像电流支路;信号采样检测电路用于将采集的电压信号经分压后与不同参考电压比较以产生多路控制信号;运算放大器的正输入端与参考电压VREF1连接,负输入端与NMOS管N1、电阻R3连接,输出端与NMOS管N1的栅极连接;NMOS管N1的漏极分别与PMOS管P1的漏极和栅极、以及镜像电流支路中PMOS管的栅极连接;镜像电流支路中NMOS管的源极均与NMOS管N2的漏极、电容C1、第一比较器的正输入端连接,第一比较器的负输入端接参考电压VREF2;镜像电流支路中NMOS管的栅极、NMOS管N2的栅极信号采样检测电路的不同输出端连接。本发明能够实现反时限延时控制功能。
主权项:1.一种反时限延时控制电路,其特征在于:包括信号采样检测电路、运算放大器A1、第一比较器CMP1、PMOS管P1、NMOS管N1、NMOS管N2以及n条镜像电流支路,其中n≥2;所述信号采样检测电路的输入端与被检测设备的供电端连接,且用于将采集的电压信号VS经分压后与不同参考电压比较以产生n路控制信号ENi,再由n路控制信号ENi产生一路控制信号ENb,其中i=1,2,…,n;所述运算放大器A1的正输入端与参考电压VREF1连接,其负输入端分别与NMOS管N1的源极、电阻R3的第一端连接,电阻R3的第二端接地,所述运算放大器A1的输出端与NMOS管N1的栅极连接;所述NMOS管N1的漏极分别与所述PMOS管P1的漏极和栅极、以及每条所述镜像电流支路中PMOS管的栅极连接;所述PMOS管P1的源极、每条所述镜像电流支路中PMOS管的源极均接电源VDD;每条所述镜像电流支路中NMOS管的源极均与所述NMOS管N2的漏极、电容C1的正极、所述第一比较器CMP1的正输入端连接,所述NMOS管N2的源极和电容C1的负极接地,所述第一比较器CMP1的负输入端接参考电压VREF2;每条所述镜像电流支路中NMOS管的栅极分别接n路控制信号ENi,所述NMOS管N2的栅极接控制信号ENb;所述PMOS管P1分别与每条所述镜像电流支路中PMOS管镜像对称;其中,所述信号采样检测电路包括分压电阻R1、滤波电路、n个第二比较器以及或非门;所述分压电阻R1的第一端与被检测设备的供电端连接,其第二端分别与所述滤波电路、每个所述第二比较器的正输入端连接;每个所述第二比较器的负输入端接不同参考电压VREF3~VREF2+n,每个所述第二比较器的输出端输出控制信号ENi;每个所述第二比较器的输出端分别与所述或非门的输入端连接,所述或非门的输出端输出控制信号ENb。
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