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申请/专利权人：华天科技(昆山)电子有限公司
摘要：本发明公开了一种可降低TSV孔底应力的扇出型封装结构的制作方法，包括如下步骤：取一硅基板，在该硅基板上开设TSV孔，该TSV孔为盲孔，且其上部为倒角结构；在TSV孔中形成向硅基板对应于倒角结构的一面延伸覆盖的复合线路结构；在复合线路结构上键合支撑基板，然后对硅基板的另一面进行减薄，直至复合线路结构暴露；在硅基板的远离复合线路结构的一侧开设凹槽，在凹槽中贴装芯片；在硅基板的远离复合线路结构的一侧形成线路导出结构。本发明通过倒角结构的TSV孔可降低孔底应力，减少对绝缘层的影响，并可避免绝缘层以及金属线路层材料在TSV孔的孔口处出现堆积的问题；本发明可提高扇出封装结构的良率，节约封装成本。
主权项：1.一种可降低TSV孔底应力的扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，取一硅基板，在该硅基板上开设小孔径深比的TSV孔，该TSV孔为盲孔，且其上部为倒角结构；S2，在所述TSV孔中形成向硅基板对应于倒角结构的一面延伸覆盖的复合线路结构；S3，在该复合线路结构上键合支撑基板，然后对硅基板的另一面进行减薄，直至TSV孔中的复合线路结构暴露；S4，在硅基板的远离复合线路结构的一侧开设凹槽，在该凹槽中贴装芯片；S5，在硅基板的远离复合线路结构的一侧上形成线路导出结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华天科技(昆山)电子有限公司 可降低TSV孔底应力的扇出型封装结构及其制作方法
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