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申请/专利权人：西安交通大学
摘要：一种基于周期光场特征提取的纳米精度位移解析方法，入射光经光栅周期结构的透射或反射，形成周期光场；在进行多周期测量时，采用“三段式”位移测量：先通过计算指定点检测到的光斑数来测量第一段位移，通过设置检测区域，在检测区域内通过一个光场的周期，则后台探测器相应产生一个计数脉冲；再针对首末两端不足一个光栅周期的情况，通过对两端的像素点数来测量第二段位移；最后针对不足一个像素点周期的亚微米级位移，通过图像处理的方式，采用高斯峰值拟合定位光场的峰值线，通过亚像素点位移的细分测量，获得第三段位移；本发明提高光栅光场的位移解析精度。
主权项：1.一种基于周期光场特征提取的纳米精度位移解析方法，其特征在于，入射光经光栅周期结构的透射或反射，形成周期光场；在进行多周期测量时，采用“三段式”位移测量：先通过计算指定点检测到的光斑数来测量第一段位移L1＝n×a，a为光场的周期，n为光场的周期数目，光场的周期数目通过脉冲测量来计数，通过设置检测区域，在检测区域内通过一个光场的周期，则后台探测器相应产生一个计数脉冲；再针对首末两端不足一个光栅周期的情况，通过对两端的像素点数来测量第二段位移L2＝m×j，j为CMOS相机10像素点周期，m为计数的像素点数目；最后针对不足一个像素点的亚微米级位移，通过图像处理的方式，采用高斯峰值拟合定位光场的峰值线k，通过亚像素点位移的细分测量，获得第三段位移L3；通过“三段式”位移测量方法，获得位移L＝L1+L2+L3；该方法适用于超构表面光栅测量系统与普通光栅测量系统。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 一种基于周期光场特征提取的纳米精度位移解析方法
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