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申请/专利权人：复旦大学
摘要：本发明属于微电子封装领域，具体涉及一种多尺度硅通孔背部散热结构及其制备方法和应用，设置于芯片的背面；所述的硅通孔包括依次连通且尺寸顺序减小的导热轨道、至少一级的微米级硅通孔和至少一级的纳米级硅通孔，所述的纳米级硅通孔的末端贴靠于芯片的发热源设置；所述的硅通孔的内部填充有高热导率材料。与现有技术相比，本发明解决现有技术中散热效率有限、普适性较低且工艺要求较高的问题，本方案实现了从芯片内部热源进行热量传递，提升散热效率，有效降低芯片温度。
主权项：1.一种多尺度硅通孔背部散热结构，其特征在于，设置于芯片1的背面；所述的硅通孔包括依次连通且尺寸顺序减小的导热轨道21、至少一级的微米级硅通孔22和至少一级的纳米级硅通孔23，所述的纳米级硅通孔23的末端贴靠于芯片1的发热源24设置；所述的硅通孔的内部填充有高热导率材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 复旦大学 一种多尺度硅通孔背部散热结构及其制备方法和应用
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