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申请/专利权人：上海邦芯半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及等离子刻蚀技术领域，具体涉及一种等离子蚀刻装置及等离子蚀刻方法。等离子蚀刻装置包括晶圆顶针，该晶圆顶针包括第一区段，第一区段的中央沿着纵向轴线设置有第一通孔，横向设置有侧孔，第一通孔与侧孔相连通。等离子蚀刻装置还包括等离子体源线圈介质窗、等离子体激发线圈、匀气栅网、用于放置晶圆的热台、抽气匀气环、晶圆顶针驱动机构和工艺腔体。本申请还涉及一种等离子蚀刻方法。本文所述的等离子蚀刻装置可以将晶圆稳定地放置于热台上，避免滑片，且可以避免在晶圆背面形成顶针印记。
主权项：1.一种等离子蚀刻装置，其特征在于，所述等离子蚀刻装置包括用于放置晶圆的热台和晶圆顶针，所述晶圆顶针包括第一区段，所述第一区段的中央沿着纵向轴线设置有第一通孔，横向设置有侧孔，所述第一通孔与所述侧孔相连通；其中，所述晶圆顶针与所述等离子蚀刻装置中待处理晶圆背面的材料相同；其中，所述第一通孔的长度与所述第一通孔的直径之比大于或等于15：1；其中，所述晶圆顶针进一步包括与所述第一区段相连的第二区段，所述第二区段的纵向设置有第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔相连通，且所述侧孔设置在所述第一区段和所述第二区段相连的位置；其中，所述侧孔用于导走热台和晶圆之间的气体，该气体先流经所述第一通孔，再流经所述侧孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海邦芯半导体科技有限公司 等离子蚀刻装置及等离子蚀刻方法
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