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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本申请提供了一种三维存储器及其制造方法，该方法包括：在衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的介质层和牺牲层；形成贯穿所述堆叠层的沟道孔；经由所述沟道孔去除所述牺牲层的至少一部分以形成凹陷；在所述凹陷内形成电荷存储部分，所述电荷存储部分设于相邻的介质层之间；去除所述牺牲层的其余部分以暴露所述电荷存储部分；以及将暴露的所述电荷存储部分的至少一部分转化为阻挡部分。本申请的制造方法形成的阻挡层不占据栅极层的垂直空间。在相同的堆叠高度下，本申请的三维存储器能够堆叠更多层数的介质层和栅极层，从而增大存储容量。
主权项：1.三维存储器的制造方法，包括：在衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括交替堆叠的介质层和牺牲层；形成贯穿所述堆叠层的沟道孔；经由所述沟道孔去除所述牺牲层的至少一部分以形成凹陷；在所述凹陷内形成电荷存储部分，所述电荷存储部分设于相邻的所述介质层之间，所述牺牲层相对于所述电荷存储部分具有预定的第一刻蚀选择比，以在去除所述牺牲层时保留所述电荷存储部分；沿所述沟道孔的侧壁依次沉积隧穿层、沟道层和电介质芯；去除所述牺牲层的其余部分以暴露所述电荷存储部分；以及将暴露的所述电荷存储部分的至少一部分氧化为阻挡部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 三维存储器及其制造方法
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