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申请/专利权人：中山市蓝德电子有限公司

摘要：本发明公开了一种供电方法和采用该方法的供电电路，包括依次连接的交流输入电路、第一整流滤波电路、非隔离斩波电路、第二整流滤波电路和控制器输出电路，非隔离斩波电路还依次连接有占空比控制电路、输出占空比信号电路和单片机检电流电路，控制器输出电路设置有直流电输出接口，本LED电源用于为LED灯带供电，采用数字电路控制器和单片机检电流模式（C），利用单片机检测的电流输出PWM占空比调光方式控制功率W，以适应灯带的米数长度及功率变化，控原边模式，输出两线，有利于生产，而且对高压和低压同样适用；另外，AD模式检的输出信号，如果用户不按操作流程使用，会损坏单片机，CW模式，输出随意短路，恢复电源即正常工作，可靠性更好。

主权项：1.一种供电方法，其特征是：其包括以下步骤：a、设置交流输入电路输出交流电至第一整流滤波电路中整流滤波；b、经过步骤a中第一整流滤波电路整流滤波后的电流经非隔离斩波电路输入单片机检电流电路中，由单片机检电流电路上的单片机检测电流大小；c、单片机检电流电路上的单片机输出占空比信号至输出占空比信号电路，然后电流输至非隔离斩波电路；d、由非隔离斩波电路输出电流至第二整流滤波电路中整流滤波；e、整流后的电流经直流电输出接口输出；还包括采用供电电路去实现所述供电方法的步骤；所述供电电路包括依次连接的交流输入电路、第一整流滤波电路、非隔离斩波电路、第二整流滤波电路和控制器输出电路，所述非隔离斩波电路还依次连接有占空比控制电路、输出占空比信号电路和单片机检电流电路，所述控制器输出电路设置有直流电输出接口；所述交流输入电路包括火线（L）和零线（N），所述第一整流滤波电路包括一交流转换器（DB1），所述交流转换器（DB1）设置有分别与所述火线（L）和零线（N）连接的第一交流接口（2）和第二交流接口（3），所述交流转换器（DB1）还设置有正极输出（4）和负极输出（1）；所述火线（L）与所述第二交流接口（3）之间连接有一保险丝（F1）,所述零线（N）与所述第一交流接口（2）之间连接有一热敏电阻（NTC），所述第一整流滤波电路还包括一聚丙烯电容（CBB1），所述聚丙烯电容（CBB1）的一端与所述热敏电阻（NTC）的输出端连接，另一端与所述保险丝（F1）的输出端连接；所述正极输出（4）与负极输出（1）还连接有一第一有极性电容（EC1），所述第一有极性电容（EC1）的两端分别与所述正极输出（4）与负极输出（1）连接，所述第一有极性电容（EC1）与所述负极输出（1）连接的一端接地，所述控制器输出电路包括直流输出正极（V+）和直流输出负极（V-），所述正极输出（4）与所述直流输出正极（V+）连接；所述非隔离斩波电路包括与所述正极输出（4）串联连接的第一电阻（R1）、第二电阻（R2）和第三电阻（R3），所述控制器输出电路、单片机检电流电路、占空比控制电路和输出占空比信号电路都包括一调光芯片（SOP10），所述调光芯片（SOP10）设置有12伏接口（5）、PWM-G接口（6）、5伏接口（7）、FB接口（8）、GND接口（9）、CS接口（10）和FC接口（11），所述第三电阻（R3）的输出端与所述12伏接口（5）连接，所述第一电阻（R1）的输入端与所述直流输出正极（V+）连接，所述第三电阻（R3）的输出端还并联连接有第四电阻（R4）、第三有极性电容（EC3）和第五无极性电容（C5），所述第四电阻（R4）、第三有极性电容（EC3）和第五无极性电容（C5）的输出端均接地；所述正极输出（4）还连接有第五电阻（R5），所述第五电阻（R5）的输出端依次连接有第六电阻（R6）、第九电阻（R9）和第十一电阻（R11），所述第十一电阻（R11）的输出端与所述FB接口（8）连接，所述第五电阻（R5）的输入端与所述直流输出正极（V+）连接，所述第六电阻（R6）的输出端还串联有第八电阻（R8）和第一无极性电容（C1），所述第一无极性电容（C1）的输出端接地，所述第八电阻（R8）的输出端还与所述FC接口（11）连接；所述第十一电阻（R11）的输出端还连接有第十电阻（R10），所述第十电阻（R10）的输出端还依次连接有第六二极管（D6）和第十三电阻（R13），所述第十三电阻（R13）的输出端与第三电阻（R3）的输出端连接；所述第二整流滤波电路包括低频变压器（L2）、第一二极管（D2）和第二二极管（D2A），所述第十电阻（R10）的输出端与所述低频变压器（L2）初级线圈的输入端连接，所述低频变压器（L2）初级线圈的输出端通过一第二电容（C2）与所述5伏接口（7）连接，所述CS接口（10）并联连接有一第十二电阻（R12）和第三无极性电容（C3），所述第十二电阻（R12）的一端与N沟道绝缘栅场效应增强型MOS管（Q1）的源极连接，所述第十二电阻（R12）的一端还连接有一第四无极性电容（C4），所述低频变压器（L2）初级线圈的输出端、所述第二电容（C2）的输出端、所述第三无极性电容（C3）和第四无极性电容（C4）的输出端连接后均接地；所述低频变压器（L2）次级线圈的输出端与所述直流输出负极（V-）连接，所述低频变压器（L2）次级线圈的输出端还通过一第二有极性电容（EC2）与所述直流输出正极（V+）连接；所述低频变压器（L2）次级线圈的输入端与所述第一二极管（D2）的输入端和第二二极管（D2A）的输入端连接，所述第一二极管（D2）的输出端和第二二极管（D2A）的输出端均与所述直流输出正极（V+）连接；所述非隔离斩波电路还包括N沟道绝缘栅场效应增强型MOS管（Q1），所述N沟道绝缘栅场效应增强型MOS管（Q1）的漏极与所述低频变压器（L2）次级线圈的输入端连接，栅极与所述PWM-G接口（6）连接，源极并联连接有第七电阻（R7）、第十五电阻（R7A）和第十四电阻（R7B），所述第七电阻（R7）、第十五电阻（R7A）和第十四电阻（R7B）的输出端均接地。

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