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申请/专利权人：苏州英嘉通半导体有限公司

摘要：本发明揭示了一种高共模动态范围且PVT恒定的差分放大器，所述差分放大器包括恒定跨导偏置电路、差分放大器电路及输入共模分量跟踪补偿电路，所述输入共模分量跟踪补偿电路用于提取输入信号的共模分量，所述恒定跨导偏置电路用于根据输入共模分量跟踪补偿电路反馈的共模分量提供偏置电压与电流，以抵消差分放大器电路的固有增益随PVT的变化。本发明中恒定跨导偏置电路能够抵消差分放大器电路的固有增益随PVT的变化，从而达到PVT恒定的特性，输入共模分量跟踪补偿电路能够提取输入信号的共模分量，扩大了差分放大器电路的共模动态范围。

主权项：1.一种高共模动态范围且PVT恒定的差分放大器，其特征在于，所述差分放大器包括恒定跨导偏置电路、差分放大器电路及输入共模分量跟踪补偿电路，所述输入共模分量跟踪补偿电路用于提取输入信号的共模分量，所述恒定跨导偏置电路用于根据输入共模分量跟踪补偿电路反馈的共模分量提供偏置电压与电流，以抵消差分放大器电路的固有增益随PVT的变化，所述恒定跨导偏置电路包括共源共栅电流镜及偏置电流放大电路，所述差分放大器电路包括若干PMOS管、若干NMOS管及若干电阻；所述共源共栅电流镜用于提供偏置电流，其包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管及电阻RC；其中，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管的栅极相连，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管的源极与电压VDD相连，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管的漏极分别与第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管的源极相连，第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管的栅极相连，第四PMOS管、第五PMOS管的漏极分别与第一NMOS管、第二NMOS管的漏极相连，第六PMOS管的漏极与偏置电流放大电路相连，第一NMOS管、第二NMOS管的栅极相连，第一NMOS管、第二NMOS管的源极分别与第三NMOS管、第四NMOS管的漏极相连，第三NMOS管、第四NMOS管的栅极相连，第三NMOS管的源极与电压VSS相连，第四NMOS管的源极接电阻RC后与电压VSS相连，所述第一NMOS管的栅极和漏极相连，第三NMOS管的栅极和漏极相连；所述偏置电流放大电路用于放大共源共栅电流镜提供的偏置电流，其包括运算放大器、与运算放大器两个输入端相连的第一电阻和第二电阻及与运算放大器输出端相连的第九NMOS管；其中，运算放大器的第一输入端和第二输入端分别接第一电阻和第二电阻后与电压VSS相连，第一输入端还与第六PMOS管的漏极相连，运算放大器的输出端与第九NMOS管的栅极相连，第九NMOS管的源极与运算放大器的第二输入端相连，第九NMOS管的漏极与差分放大器电路相连；所述共源共栅电流镜提供的偏置电流Ib为： 其中，βm为第三NMOS管的跨导系数，K为第四NMOS管与第三NMOS管的尺寸比；偏置电流放大电路的放大系数为a，a为第一电阻与第二电阻的比值。

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