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一种MAX相涂层的低温制备方法及其应用 

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申请/专利权人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所

摘要:本发明公开了一种MAX相涂层的低温制备方法及其应用。所述低温制备方法包括:提供基体;以及,采用直流磁控溅射复合双靶高功率脉冲磁控溅射技术,在所述基体表面沉积形成MAX相涂层;其中,所述直流磁控溅射技术中采用的靶材为Al靶,所述双靶高功率脉冲磁控溅射技术中采用的双靶靶材分别为金属靶和C靶,所述金属靶选自Ti靶、Cr靶或V靶,且金属靶、C靶、Al靶中任意两靶之间的磁场为磁铁极性相反的闭合磁场或磁铁极性相同的镜面磁场;沉积温度为350~500℃。本发明的提供的MAX相涂层工艺的沉积温度低,同时制备的MAX相涂层具有纯度高、表面平滑、成分均匀、结构致密等优点。

主权项:1.一种MAX相涂层的低温制备方法,其特征在于包括:提供基体;以及,将基体置于反应腔体中,打开直流磁控溅射电源和高功率脉冲磁控溅射电源,对靶材进行自清洁20~30min,之后采用直流磁控溅射复合双靶高功率脉冲磁控溅射技术,在所述基体表面沉积形成MAX相涂层;其中,所述直流磁控溅射中Al靶的功率为15~35W,所述双靶高功率脉冲磁控溅射技术中采用的双靶靶材分别为金属靶和C靶,所述金属靶选自Cr靶或V靶,且金属靶、C靶、Al靶中任意两靶之间的磁场为磁铁极性相反的闭合磁场或磁铁极性相同的镜面磁场;所述双靶高功率脉冲磁控溅射技术的电源参数设置为:频率为100~1000Hz,占空比为2.5~5%,脉宽为25~500μs,金属靶的功率为50~100W,C靶的功率为100~200W,基体偏压为-200~0V,沉积温度为350~400℃。

全文数据:

权利要求:

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