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申请/专利权人：湘潭大学

摘要：本发明公开一种具有低电容、简化加压方式的硅像素探测器，包括n×n个像素单元；像素单元包括硅体，硅体其中一端中间设有中心阴极电极，中心阴极电极外围有间隔的设有两个同心方形环阴极电极，中心阴极电极和两个同心方形环阴极电极外面均包有阴极电极表面外的电极金属层；阴极电极表面外的电极金属层两两之间设置有二氧化硅保护层；连接部电极金属层通过连接中心阴极电极和两个同心方形环阴极电极外的阴极电极表面的电极金属层，将中心阴极电极和两个同心方形环阴极电极连接起来；硅体另一端设置有下表面阳极电极，下表面阳极电极外面包有阳极电极表面外的电极金属层。本发明减小了探测器电容，简化了加压方式，降低了读电路的难度。

主权项：1.一种具有低电容、简化加压方式的硅像素探测器，其特征在于，包括n×n个硅像素探测器的像素单元；其中硅像素探测器的像素单元包括硅体（3），硅体（3）其中一端的中间设置有中心阴极电极（4），中心阴极电极（4）外围有间隔的设置有两个同心方形环阴极电极，依次是第一层方形环阴极电极（5）和第二层方形环阴极电极（6），中心阴极电极（4）、第一层方形环阴极电极（5）和第二层方形环阴极电极（6）外面均包有阴极电极表面外的电极金属层（8）；阴极电极表面外的电极金属层（8）两两之间设置有二氧化硅保护层（7）；连接部电极金属层（9）通过连接中心阴极电极（4）、第一层方形环阴极电极（5）、第二层方形环阴极电极（6）外包裹的阴极电极表面外的电极金属层（8），从而将中心阴极电极（4）、第一层方形环阴极电极（5）、第二层方形环阴极电极（6）连接起来；硅体（3）另一端设置有下表面阳极电极（2），下表面阳极电极（2）外面包有阳极电极表面外的电极金属层（1）；所述硅像素探测器的像素单元是下表面为正方形的四棱柱，高为300微米，边长为80微米，上表面中心阴极电极（4）边长为15微米，连接部电极金属层（9）宽度为2微米，中心部以及两个同心方形环，其相邻两个之间的间隙宽度为G微米，两个同心方形环的宽度为W微米；其中，W=βG，其中β是一个常数，需要通过仿真模拟找到最合适的β；中心阴极电极（4）、第一层方形环阴极电极（5）、第二层方形环阴极电极（6）的厚度均为1微米；二氧化硅保护层（7）厚度为1微米，重掺杂p+和重掺杂n+的掺杂厚度均为1微米。

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