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缓冲器电路以及具有缓冲器电路的功率半导体模块 

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申请/专利权人:英飞凌科技股份有限公司

摘要:本发明公开了一种缓冲器电路,其包括缓冲器基板,所述缓冲器基板包括电绝缘载体和施加于其上的导电结构化层,所述导电结构化层包括两个区段。所述缓冲器电路还包括:两个电阻层,每一个电阻层被施加到缓冲器基板的导电结构化层的两个区段上;以及电容器,所述电容器设置在电阻层上,并且具有两个端子,每一个端子电连接到电阻层中的一个。此外,公开了一种具有这样的缓冲器电路的功率半导体模块。

主权项:1.一种缓冲器电路,包括:缓冲器基板,所述缓冲器基板包括电绝缘载体和施加于所述电绝缘载体上的导电结构化层,所述缓冲器基板的所述导电结构化层包括两个区段;两个电阻层,每一个电阻层具有两个相对侧,包括掺杂的半导体材料,并且分别被施加到所述缓冲器基板的所述导电结构化层的所述两个区段中的一个区段上,并且所述每一个电阻层的所述两个相对侧中的一侧电连接到所述两个区段中的所述一个区段;以及电容器,所述电容器设置在所述电阻层上,并且具有处于两个相对横向端部处的两个端子,所述每一个电阻层的所述两个相对侧中的另一侧电连接到所述两个端子中的一个端子。

全文数据:

权利要求:

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