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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：一些实施例包含存储器阵列，所述存储器阵列具有交替的绝缘层级与字线层级的竖直堆叠。沟道材料沿着所述堆叠竖直延伸。所述字线层级包含具有第一含金属材料和第二含金属材料的导电区。所述第一含金属材料至少部分地环绕所述第二含金属材料。所述第一含金属材料具有不同于所述第二含金属材料的结晶度的结晶度。在一些实施例中，所述第一含金属材料为大致非晶型，且所述第二含金属材料具有在从大于或等于约5nm到小于或等于约200nm的范围内的均值晶粒大小。电荷存储区与所述字线层级相邻。电荷阻挡区处于所述电荷存储区和所述导电区之间。
主权项：1.一种存储器单元，其包括：导电栅极；所述导电栅极包含包封第二含金属材料的第一含金属材料；所述第一和第二含金属材料的结晶度不同于彼此，所述第二含金属材料具有大于所述第一含金属材料的均值晶粒大小的均值晶粒大小；与所述导电栅极相邻的电荷阻挡区；与所述电荷阻挡区相邻的电荷存储区；与所述电荷存储区相邻的隧穿材料；和与所述隧穿材料相邻的沟道材料，所述隧穿材料处于所述沟道材料和所述电荷存储区之间；其中所述第一含金属材料具有小于或等于10nm的均值晶粒大小；及其中所述第一含金属材料包括与氧组合的金属。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 包含具有至少部分地环绕第二含金属材料并且具有不同于第二含金属材料的结晶度的结晶度的第一含金属材料的字线的组合件
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