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申请/专利权人：硅存储技术股份有限公司

摘要：本发明题为“用于集成电路的改进的电平移位器”。本发明公开了一种用于集成电路中的改进的电平移位器。电平移位器能够实现低于1ns的切换时间，同时仍然使用现有技术中使用的核心电源电压VDDL和VDDH。该改进的电平移位器包括耦合级和电平转换级。

主权项：1.一种电平移位器，所述电平移位器用于接收第一电压域的输入并生成第二电压域的输出，其中所述第一电压域中的“0”为第一电压，并且所述第一电压域中的“1”为第二电压，并且所述第二电压域中的“0”为所述第一电压，并且所述第二电压中的“1”为不同于所述第二电压的第三电压，所述电平移位器包括：第一电路，所述第一电路生成第一信号；第二电路，所述第二电路生成第二信号；第一电源，所述第一电源提供所述第三电压；第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管包括耦接到所述第一电源的第一端子、栅极和第二端子；第二PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管包括耦接到所述第一电源的第一端子、耦接到所述第一PMOS晶体管的所述第二端子的栅极和耦接到所述第一PMOS晶体管的所述栅极和用于提供所述输出的输出节点的第二端子；第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管包括耦接到所述第一PMOS晶体管的所述第二端子的第一端子、被配置为接收所述第一信号的栅极；和被配置为接收所述输入的补码的第二端子；第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管包括耦接到所述第一PMOS晶体管的所述第二端子的第一端子、被配置为接收所述输入的栅极和耦接到所述第一电压的第二端子；第三NMOS晶体管，所述第三NMOS晶体管包括耦接到所述输出节点的第一端子、被配置为接收所述输入的所述补码的栅极和耦接到所述第一电压的第二端子；和第四NMOS晶体管，所述第四NMOS晶体管包括耦接到所述输出节点的第一端子、被耦接以接收所述第二信号的栅极和被配置为接收所述输入的第二端子；其中当所述输入处于所述第二电压时，所述第一信号为浮动的或为所述第二电压的两倍，并且当所述输入处于所述第一电压时，所述第一信号为所述第二电压；并且其中当所述输入处于所述第一电压时，所述第二信号为浮动的或为所述第二电压的两倍，并且当所述输入处于所述第二电压时，所述第二信号为所述第二电压。

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