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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：公开了三维3D存储器件和用于形成3D存储器件的方法的实施例。在示例中，3D存储器件包括膜堆叠层，该膜堆叠层具有垂直地堆叠在衬底上的多个导电层和电介质层对。每个导电层和电介质层对包括电介质层和导电层。该3D存储器件还包括阶梯区域，该阶梯区域具有形成在膜堆叠层中的第一阶梯结构和第二阶梯结构，其中第一阶梯结构和第二阶梯结构均在第一方向上横向地延伸并且包括多个导电层和电介质层对。阶梯区域还包括连接第一阶梯结构和第二阶梯结构的阶梯桥。
主权项：1.一种三维3D存储器件，包括：膜堆叠层，其包括沿第一方向排布的第一子顶部选择栅TSG和第二子顶部选择栅TSG；缝隙结构，其沿所述第一方向延伸且垂直穿过所述膜堆叠层；顶部选择栅TSG切口，其沿所述第一方向延伸且垂直穿过所述膜堆叠层的上部分，所述TSG切口位于相邻的两个所述缝隙结构之间；阶梯桥，其沿所述第一方向延伸且连接所述第一子TSG和第二子TSG，在垂直于所述第一方向的第二方向上，所述阶梯桥在所述第二方向的宽度小于相邻两个所述缝隙结构之间的距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 用于三维存储器中的字线触点的阶梯结构
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