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电介质陶瓷及使用其的陶瓷电容器 

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申请/专利权人:株式会社村田制作所

摘要:本发明提供一种能够同时实现低介电损耗角正切和高相对介电常数的电介质陶瓷。具有包含由TixSn1‑xO20.40≤x≤0.60表示的金红石型化合物作为主成分且进一步包含Nb的组成,剖视图中包括:由式1定义的A为0.55以上的富Ti相所构成的区域以及由式2定义的B为0.55以上的富Sn相所构成的区域,并且,满足式3~式5。A=Ti的含量atom%Ti与Sn的合计含量atom%1;B=Sn的含量atom%Ti与Sn的合计含量atom%2;0.005mol%≤y≤0.020mol%3;16nm≤DTi≤20nm4;15nm≤DSn≤19nm5;ymol%是将上述金红石型化合物的含量设为100mol%时的Nb的含量,DTinm为富Ti相区域的平均尺寸,DSnnm为富Sn相区域的平均尺寸。

主权项:1.一种电介质陶瓷,具有如下组成:包含由TixSn1-xO2表示的金红石型化合物作为主成分且还包含Nb,其中,0.40≤x≤0.60,并且,在其剖视图中包括:由以下的式1定义的A为0.55以上的富Ti相所构成的区域以及由以下的式2定义的B为0.55以上的富Sn相所构成的区域,并且,满足以下的式3~式5,A=Ti的以atom%计含量Ti与Sn的以atom%计合计含量1,B=Sn的以atom%计含量Ti与Sn的以atom%计合计含量2,0.005mol%≤y≤0.020mol%3,16nm≤DTi≤20nm4,15nm≤DSn≤19nm5,其中,y是将所述金红石型化合物的含量设为100mol%时的Nb的以mol%计含量,DTi为富Ti相区域的平均尺寸,单位为nm,DSn为富Sn相区域的平均尺寸,单位为nm。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 株式会社村田制作所 电介质陶瓷及使用其的陶瓷电容器

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