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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要：本发明提供一种宽带在片差分S参数校准方法，涉及晶圆级半导体器件微波特性测量技术领域。本发明通过对在片差分S参数测量系统进行两次两端口多线TRL校准、一次两端口未知直通校准，结合端口间矩阵运算得到四个端口全部误差项，可求解出件的多端口S参数，再将四个端口的常规S参数计算转化为差分S参数。在该过程中，由于采用可溯源的多线TRL校准算法，可有效提高在片差分S参数的测量准确度。
主权项：1.一种宽带在片差分S参数校准方法，其特征在于，应用于待测件的差分测量模型，所述差分测量模型为四端口网络；所述校准方法包括：采用多线TRL校准法，对所述四端口网络中的第一端口和第三端口、第二端口和第四端口进行全双端口校准，得到各端口的单端口误差项、一三端口和二四端口的传输误差项；测量第一端口和第二端口之间的直通参数；基于第一端口和第二端口的直通参数，以及各端口的单端口误差项，计算一二端口的传输误差项；基于各端口的单端口误差项，以及一二端口、一三端口和二四端口的传输误差项，采用矩阵运算，计算所述四端口网络中每对两端口的传输误差项；基于所述每对两端口的传输误差项，计算得到S参数；基于所述S参数，以及S参数与差分S参数之间的变换关系式，计算得到所述待测件的在片差分S参数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种宽带在片差分S参数校准方法
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