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申请/专利权人：北京时代全芯存储技术股份有限公司
摘要：本发明提供一种提高特征尺寸一致性的湿法蚀刻方法，属于集成电路制造领域。本发明的湿法蚀刻方法包括：半导体组件形成步骤：在晶圆的半导体衬底上形成半导体组件；蚀刻液更换步骤：更换酸槽中的蚀刻液；以及蚀刻步骤：通过导管将酸槽中的蚀刻液引导至喷头，并通过喷头将蚀刻液喷洒至晶圆的表面，同时平台带动晶圆旋转，从而对半导体组件进行蚀刻，并根据蚀刻液更换步骤与蚀刻步骤的间隔时间L控制蚀刻时间t。通过本发明的湿法蚀刻方法，可以提高特征尺寸的一致性，从而提高产品的良率和性能。
主权项：1.一种提高特征尺寸一致性的湿法蚀刻方法，其特征在于，所述湿法蚀刻方法使用的湿法蚀刻装置100包括：腔室1，设置在所述腔室1底部的用于放置晶圆2的平台3，设置在所述腔室1顶部的用于向所述晶圆2喷洒蚀刻液的喷头4，设置在所述腔室1之外的用于存放所述蚀刻液的酸槽5，连接所述喷头4和所述酸槽5的导管6，以及设置在所述平台3周围的废液收集部件7，所述湿法蚀刻方法包括：半导体组件形成步骤：在所述晶圆2的半导体衬底10上形成半导体组件20；蚀刻液更换步骤：更换所述酸槽5中的所述蚀刻液；以及蚀刻步骤：通过所述导管6将所述酸槽5中的所述蚀刻液引导至所述喷头4，并通过所述喷头4将所述蚀刻液喷洒至所述晶圆2的表面，同时所述平台3带动所述晶圆2旋转，从而对所述半导体组件20进行蚀刻，并根据所述蚀刻液更换步骤与所述蚀刻步骤的间隔时间L控制蚀刻时间t。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京时代全芯存储技术股份有限公司 提高特征尺寸一致性的湿法蚀刻方法
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