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申请/专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所
摘要：本发明提供了一种抗等离子体刻蚀的高致密氧化钇涂层及其制备方法，属于陶瓷材料表面处理技术领域。本发明采用闭合场非平衡磁控溅射技术在氧化铝陶瓷基底表面依次沉积金属钇Y过渡层和氧化钇Y2O3涂层，随后将氧化钇涂层置于马弗炉中进行高温热处理，制备得到高致密氧化钇涂层。得到的涂层具有高致密度、高硬度＞12Gpa、良好的耐高温性＞800℃和优异的抗等离子体刻蚀性能＜60nm。作为抗等离子体防护涂层在半导体工业、光学器件、等离子体刻蚀设备等领域具有很大的应用前景和价值。
主权项：1.一种抗等离子体刻蚀的高致密氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1对基底进行清洗后置于闭合场非平衡磁控溅射真空腔室中，在氩气氛围下，对基底进行活化清洗；2在步骤1得到的基底表面沉积金属钇过渡层；3在金属钇过渡层表面沉积高致密氧化钇涂层；4对高致密氧化钇涂层进行热处理即可；所述沉积高致密氧化钇涂层的工艺参数为：溅射氛围为Ar和O2的混合气，工作气压为0.1～0.5Pa，Y靶溅射电流为6～10A，基体施加负偏压为100～400V。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院兰州化学物理研究所 一种抗等离子体刻蚀的高致密氧化钇涂层及其制备方法
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