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申请/专利权人：拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
摘要：本实用新型公开了一种辅助气体的进气结构、喷淋板和一种薄膜沉积设备。该进气结构包括：第一进气口，设置于反应腔的第一位置，用以向所述反应腔通入所述辅助气体，其中，所述辅助气体为动态中心控制气体，所述第一进气口与远程等离子体源系统的连接通道之间设有隔离部；以及第二进气口，设置于所述反应腔的第二位置，用以向所述反应腔通入反应气体。通过采用上述辅助气体的进气结构，能够避免辅助气体在进入反应腔的过程中，将远程等离子体源系统中的颗粒也带入到反应腔，从而导致晶圆上的薄膜颗粒度差的问题，实现多层膜工艺的平稳过渡。
主权项：1.一种辅助气体的进气结构，其特征在于，包括：第一进气口，设置于反应腔的第一位置，用以向所述反应腔通入所述辅助气体，其中，所述辅助气体为动态中心控制气体，所述第一进气口与远程等离子体源系统的连接通道之间设有隔离部；以及第二进气口，设置于所述反应腔的第二位置，用以向所述反应腔通入反应气体。
全文数据：
权利要求：
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