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申请/专利权人：长飞先进半导体(武汉)有限公司
摘要：本发明公开了一种功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆。外延层远离衬底的一侧至少设置有漂移区、阱区和掺杂区；阱区的导电类型和漂移区的导电类型相反；沟槽型栅极结构位于外延层远离衬底的一侧，第一侧壁与第一阱区和第一掺杂区接触，第一掺杂区位于第一阱区远离漂移区的一侧；第二侧壁与第二掺杂区接触，底部与第二阱区接触，第二掺杂区位于第二阱区远离漂移区的一侧；源极至少和第一掺杂区以及第二掺杂区接触；漏极位于衬底远离外延层的一侧。本发明缓和了沟槽型栅极结构底部的介质层高电场，避免了沟槽型栅极结构的第二侧壁的沟道不导通浪费的问题，提高了功率器件的电流能力。
主权项：1.一种功率器件，其特征在于，包括：衬底；外延层，所述外延层远离所述衬底的一侧至少设置有漂移区、阱区和掺杂区；所述阱区的导电类型和所述漂移区的导电类型相反；所述阱区包括第一阱区和第二阱区，所述掺杂区至少包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区的导电类型和所述漂移区的导电类型相同；沟槽型栅极结构，所述沟槽型栅极结构位于所述外延层远离所述衬底的一侧，所述沟槽型栅极结构包括第一侧壁、第二侧壁和底部，所述第一侧壁和所述第二侧壁相对设置，所述底部连接所述第一侧壁和所述第二侧壁；所述第一侧壁与所述第一阱区和所述第一掺杂区接触，所述第一掺杂区位于所述第一阱区远离所述漂移区的一侧；所述第二侧壁与所述第二掺杂区接触，所述底部与所述第二阱区接触，所述第二掺杂区位于所述第二阱区远离所述漂移区的一侧；源极，所述源极至少和所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区接触；漏极，所述漏极位于所述衬底远离所述外延层的一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长飞先进半导体(武汉)有限公司 功率器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
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