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申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
摘要：本发明涉及一种检测硅片体内Ni含量的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：准备要配比溶液的超纯水、HF溶液和H2O2。第二步：用移液枪移取4ml3％HF+2％H2O2混合溶液清洗待测硅片表面2遍，除去硅片表面的自然氧化膜和污物。第三步：将待测硅片置于电热板上加热，加热板温度设置为300摄氏度，加热时间为2小时，加热板温度应均匀，避免硅片局部温差过大。第四步：停止加热，待硅片表面温度冷却至室温后用2ml2％HF+2％H2O2进行萃取。第五步：使用ICP‑MS测试空白样品，确认仪器状态正常；第六步：使用ICP‑MS测试样品溶液，检测硅片体内Ni含量。除去表面的金属杂质和氧化膜，避免了不必要的金属污染，更真实准确的测定硅片样品体内的Ni含量，促进良率的提高。
主权项：1.一种检测硅片体内Ni含量的方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：准备要配比溶液的超纯水、HF溶液和H2O2；第二步：用移液枪移取4ml3％HF+2％H2O2混合溶液清洗待测硅片表面2遍，除去硅片表面的自然氧化膜和污物；第三步：将待测硅片置于电热板上加热，加热板温度设置为300摄氏度，加热时间为2小时，加热板温度应均匀，避免硅片局部温差过大；第四步：停止加热，待硅片表面温度冷却至室温后用2m12％HF+2％H2O2进行萃取；第五步：使用ICP-MS测试空白样品，确认仪器状态正常；第六步：使用ICP-MS测试样品溶液，检测硅片体内Ni含量。
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权利要求：
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