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申请/专利权人：闽都创新实验室
摘要：本发明涉及一种窄线宽大功率垂直腔面发射激光器及制备方法，激光器包括外延层，外延层上设置有若干第一沟槽，第一沟槽贯穿P型欧姆接触层、P‑DBR层、氧化限制层和有源区，并进入N‑DBR层；相邻的第一沟槽之间的区域和最内侧的第一沟槽围合的区域被设置为发射台；各发射台的氧化限制层均包括氧化孔；第一沟槽的底部、发射台的侧壁和顶部被绝缘钝化层覆盖；发射台顶部的绝缘钝化层开有钝化层开窗；外延层上设置有电极，电极沿第一沟槽设置，且覆盖发射台顶部的边缘，电极通过钝化层开窗与发射台的发射区电连接。本发明通过发射台阵列和氧化孔对激光的光场进行限制，通过增加沟槽数量，在限制光场的同时最大化发射台面积，可以实现窄线宽大功率激光输出。
主权项：1.一种窄线宽大功率垂直腔面发射激光器，包括外延层（1），所述外延层（1）包括自上到下的P型欧姆接触层、P-DBR层、氧化限制层（7）、有源区、N-DBR层、N型欧姆接触层，其特征在于，所述外延层（1）上设置有若干环形且同心的第一沟槽（3），所述第一沟槽（3）贯穿所述P型欧姆接触层、所述P-DBR层、所述氧化限制层（7）和所述有源区，并进入所述N-DBR层预设深度；相邻的所述第一沟槽（3）之间的区域和最内侧的所述第一沟槽（3）围合的区域被设置为发射台（2）；各所述发射台（2）的氧化限制层（7）均包括氧化孔（8），所述氧化孔（8）直径为2.5~3μm；所述第一沟槽（3）的底部、所述发射台（2）的侧壁和顶部被绝缘钝化层（5）覆盖；所述发射台（2）顶部的绝缘钝化层（5）开有钝化层开窗（6）；所述外延层（1）上设置有电极（4），所述电极（4）沿所述第一沟槽（3）设置，且覆盖所述发射台（2）顶部的边缘，所述电极（4）通过所述钝化层开窗（6）与所述发射台（2）的发射区电连接。
全文数据：
权利要求：
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