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申请/专利权人：上海传芯半导体有限公司
摘要：一种OMOG光掩模的制造方法，包括以下步骤：提供透明基板；在透明基板上依次交替沉积硅层和钼层，形成钼硅堆叠层；对钼硅堆叠层进行图案化的激光或电子束直写扫描，使被激光或电子束扫描的区域内的钼层中的Mo原子完全移动到硅层中形成图案化的钼硅化物层，图案化的钼硅化物层具有预设厚度、预设Mo和Si含量，及预设Mo原子分布梯度；去除未反应的硅层和钼层，形成OMOG光掩模；硅层和钼层通过薄膜沉积工艺沉积，薄膜沉积工艺根据预设厚度、预设Mo和Si含量及预设Mo原子分布梯度分别控制硅层和钼层的厚度。本发明能够最大程度减小钼硅化物层的厚度并最大程度提高吸光率，能够满足OMOG光掩模的发展需求，且利于节约制造成本。
主权项：1.一种OMOG光掩模的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供透明基板；在所述透明基板上依次交替沉积硅层和钼层，形成钼硅堆叠层；对所述钼硅堆叠层进行图案化的激光或电子束直写扫描，使被所述激光或所述电子束扫描的区域内的所述钼层中的Mo原子完全移动到所述硅层中形成图案化的钼硅化物层，所述图案化的钼硅化物层具有预设厚度、预设Mo和Si含量，及预设Mo原子分布梯度；去除未反应的硅层和钼层，形成OMOG光掩模；所述硅层和所述钼层通过薄膜沉积工艺沉积，所述薄膜沉积工艺根据所述预设厚度、所述预设Mo和Si含量及所述预设Mo原子分布梯度分别控制所述硅层和所述钼层的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海传芯半导体有限公司 OMOG光掩模的制造方法
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