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申请/专利权人：福建省福联集成电路有限公司
摘要：本发明提出了一种小线宽制程方法，包括以下步骤：1在半导体衬底上沉积一层介质层I，再涂布i‑line光阻；2对开图区域进行曝光及显影，露出介质层I，接着进行蚀刻，露出半导体衬底；3去除i‑line光阻，在介质层I和半导体衬底上沉积一层介质层II；4涂布新的i‑line光阻，进行曝光及显影，形成凹槽；5对凹槽底部的介质层II进行蚀刻。本发明的方法采用i‑line曝光的前提下实现更小线宽制程，采用i‑line曝光时间短，效率高，并且克服了传统i‑line曝光方式实现小线宽能力有限，无法实现更小线宽的问题，以及现有采用E‑beam描写方式虽然可以实现小线宽制程，但是效率低的问题。
主权项：1.一种小线宽制程方法，其特征在于：包括以下步骤：1在半导体衬底上沉积一层介质层I，在介质层I上涂布i-line光阻；2通过i-line对开图区域的i-line光阻进行曝光及显影，露出介质层I，对开图区域进行蚀刻，将露出的介质层I蚀刻干净，露出半导体衬底；3去除i-line光阻，在介质层I和半导体衬底上沉积一层介质层II，在介质层II上涂布新的i-line光阻；4通过i-line对介质层I的蚀刻截面上方区域的i-line光阻进行曝光及显影，形成凹槽；5对凹槽底部的介质层II进行蚀刻，蚀刻的厚度为介质层II的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 福建省福联集成电路有限公司 一种小线宽制程方法
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