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申请/专利权人:杭州众恩光电科技有限公司
摘要:本发明属于晶体制备领域,具体涉及一种高纯低氧氟化镓多晶的制备方法。所述制备方法包括:在水热釜中氧化镓和过量氟化氢铵进行反应,得到氟化镓粗产物,然后通过升高水热釜加热温度除去所述氟化镓粗产物中多余氟化氢氨;将除去多余氟化氢氨后的氟化镓粗产物进行升华,得到高纯低氧氟化镓多晶。本发明在水热釜中氧化镓和氟化氢铵充分反应,水热釜可以为氟化反应提供高压的反应环境,过量氟化氢铵可以确保氧化镓得到较为彻底的氟化。然后,通过高温除去过量氟化氢铵。接着,通过升华操作得到高纯低氧氟化镓多晶。本发明方法通过两步法制备高纯低氧氟化镓多晶,具有污染小、纯度高、杂质少、氧含量低的特点。
主权项:1.一种高纯低氧氟化镓多晶的制备方法,其特征在于,包括:步骤1、在水热釜中氧化镓和过量氟化氢铵进行反应,得到氟化镓粗产物,然后通过升高水热釜加热温度除去所述氟化镓粗产物中多余氟化氢氨;步骤2、将除去多余氟化氢氨后的氟化镓粗产物进行升华,得到高纯低氧氟化镓多晶。
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