买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：南京原磊纳米材料有限公司

摘要：本申请提供一种金属钴薄膜及其制备方法，涉及半导体技术领域。本发明方法是将衬底放入内腔体后，以CVD与ALD同时进行的方式使钴源和反应气体发生反应，在衬底上沉积金属钴薄膜。本申请还提供了一种喷淋组件，能够将钴源与还原性气体在沉积前进行充分扩散和混匀，减少反应区域的不均匀性和气相扩散效应对沉积均匀性的影响，改善沉积薄膜的膜厚均匀性。本申请将CVD方式和ALD方式结合，相比单独的ALD沉积方式金属钴薄膜生长速率高，相比单独的CVD方式制得的钴薄膜生长方式均匀性稳定且具有较低的膜层电阻率。

主权项：1.一种金属钴薄膜的制备方法，其特征在于，包括：所述方法应用于沉积设备的内腔体中，所述内腔体中放置有衬底，所述方法是采用CVD与ALD同时进行的方式使钴源和反应气体发生反应，在衬底上沉积金属钴薄膜；所述沉积设备设置有2个或2个以上的平衡载气管路通入内腔体、1个或1个以上的CVD反应气体及其载气管路以及1个或1个以上的ALD反应气体及其载气管路经过等离子体发生器通入内腔体，所述平衡载气管路接入钴源时即作为CVD钴源及其载气管路或ALD钴源及其载气管路，此时，平衡载气作为CVD钴源或ALD钴源的载气；所述方法中，一直保持CVD反应气体及其载气管路、ALD反应气体及其载气管路、等离子体发生器、CVD钴源及其载气管路、ALD钴源及其载气管路和除CVD钴源及其载气管路和ALD钴源及其载气管路之外的其余平衡载气管路处于打开状态，与此同时，ALD钴源及其载气管路和ALD反应气体及其载气管路根据ALD循环的需要进行开启或关闭ALD钴源和ALD反应气体，所述ALD循环包括：ALD钴源脉冲、ALD钴源的载气吹扫、ALD反应气体脉冲、ALD反应气体的载气吹扫；所述沉积设备还设置有惰性气体管路经等离子体发生器通入内腔体，所述惰性气体管路、CVD反应气体及其载气管路、ALD反应气体及其载气管路、CVD钴源及其载气管路、ALD钴源及其载气管路和其余平衡载气管路的输出端口径均相同；在此条件下，CVD钴源与ALD钴源的载气和其余平衡载气的气体流量相等，CVD钴源与ALD钴源的流量相等，CVD反应气体和ALD反应气体的载气流量相等，CVD反应气体与ALD反应气体的流量相等；所述沉积设备的内腔体内设置有可拆卸的喷淋组件，所述喷淋组件包括柱状侧壁（500）以及与柱状侧壁（500）两端连接的第一面板（100）和第二面板（200），所述柱状侧壁（500）具有厚度，所述柱状侧壁（500）内分散设置有2个或2个以上的通气管路（600），所述通气管路（600）的一端开口位于所述柱状侧壁（500）靠近第二面板（200）一端，所述柱状侧壁（500）靠近第一面板（100）一端设置有辐射状的钴源递送通道（300），所述钴源递送通道（300）用于通入CVD钴源及其载气、ALD钴源及其载气以及其余平衡载气，所述第一面板（100）被钴源递送通道（300）分割为多个扇形区域（110），扇形区域（110）包括多个阵列分布的通孔（111）；所述钴源递送通道（300）的辐射中心设置为开口朝向第二面板的气体混合区（400），所述钴源递送通道（300）一端与气体混合区（400）相通；所述钴源递送通道（300）的另一端与所述通气管路（600）的另一端开口连通；所述第二面板（200）包括沿圆周方向和径向方向设置的多个喷淋孔（210），所述第二面板200远离所述第一面板100一端安装有衬底支撑架；当所述喷淋组件安装在内腔体内时，CVD钴源及其载气管路、ALD钴源及其载气管路、以及其余平衡载气管路的输出端与通气管路600的一端开口对应连接；所述的金属钴薄膜的制备方法中，所述CVD反应气体及其载气和ALD反应气体及其载气经通孔111流向第一面板100和第二面板200之间的区域，CVD钻源及其载气和ALD钴源及其载气在气体混合区400汇集后，扩散并与在第一面板100和第二面板200之间区域的CVD反应气体及其载气和ALD反应气体及其载气混合后，经喷淋孔210流向衬底。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京原磊纳米材料有限公司 一种金属钴薄膜及其制备方法