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申请/专利权人：三星电子株式会社

摘要：本申请提供了用于存储器装置的训练方法、执行该方法的计算系统和执行该方法的系统芯片。在用于存储器装置的训练方法中，当存储器装置通电时对存储器装置执行初始化操作。对存储器装置的多个操作频率执行训练操作，以获得存储器装置的多个操作参数中的至少一个，作为用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数。存储用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数，作为训练数据。基于训练数据、存储器装置的当前操作模式和存储器装置的当前操作频率使用用于存储器装置的优化操作参数。

主权项：1.一种用于存储器装置的训练方法，该方法包括步骤：基于所述存储器装置被通电来对所述存储器装置执行初始化操作；对所述存储器装置的多个操作频率执行训练操作，以获得所述存储器装置的多个操作参数中的至少一个作为用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数；存储所获得的用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数作为训练数据；以及基于所述训练数据、所述存储器装置的当前操作模式和所述存储器装置的当前操作频率使用所述存储器装置的优化操作参数，其中，所述多个操作参数包括所述存储器装置的多个驱动强度和所述存储器装置的多个晶片端接电阻值中的至少一者，并且执行所述训练操作的步骤包括：针对所述多个操作频率、以及所述多个驱动强度和所述多个晶片端接电阻值中的所述至少一者，测量所述存储器装置的多个数据有效窗口；以及基于预定屏幕引导选择测量的所述多个数据有效窗口中的至少一个。

全文数据：存储器装置训练方法、执行该方法的计算系统和系统芯片相关申请的交叉引用本申请要求于2017年12月5日在韩国知识产权局KIPO提交的韩国专利申请No.10-2017-0166251的优先权，该申请的内容以引用方式全文并入本文中。技术领域根据示例性实施例的各方面的设备和方法整体涉及半导体装置，并且更具体地说，涉及存储器装置的训练方法、执行该方法的计算系统和执行该方法的系统芯片。背景技术系统芯片SOC是指一种处理系统，其将各种功能块例如，中央处理单元、存储器、接口单元、数字信号处理单元、模拟信号处理单元等集成在单个或几个半导体集成电路IC中，以利用有限数量的IC实施诸如计算机系统的电子系统。系统芯片可通过不同的供应商、密度、处理等与各种存储器装置互操作。系统芯片可采用预测系统芯片和或存储器装置的操作状态的动态电压频率调节DVFS方案，并且基于预测的操作状态动态地改变系统芯片和或存储器装置的操作频率和操作电压。发明内容根据示例性实施例的一方面，提供了一种用于存储器装置的训练方法，该方法包括以下步骤：基于存储器装置被通电，对存储器装置执行初始化操作；对存储器装置的多个操作频率执行训练操作，以获得存储器装置的多个操作参数中的至少一个作为用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数；存储获得的用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数作为训练数据；以及基于训练数据、存储器装置的当前操作模式和存储器装置的当前操作频率使用用于存储器装置的优化操作参数。根据另一示例性实施例的一方面，提供了一种计算系统，该计算系统包括：存储器装置，其包括多个存储器单元，并且被构造为基于多个操作频率之一操作；以及主机，其被构造为：基于存储器装置被通电来对存储器装置执行初始化操作，对所述多个操作频率执行训练操作以获得存储器装置的多个操作参数中的至少一个作为用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数，存储获得的用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数作为训练数据，以及基于训练数据、存储器装置的当前操作模式和存储器装置的当前操作频率使用用于存储器装置的优化操作参数。根据另一示例性实施例的一方面，提供了一种系统芯片SOC，该SOC包括：一个或多个集成电路IC，其被构造为：基于外部存储器装置被通电来对外部存储器装置执行初始化操作，对外部存储器装置的多个操作频率执行训练操作以获得外部存储器装置的多个操作参数中的至少一个作为用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数，存储用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数作为训练数据，以及基于训练数据、外部存储器装置的当前操作模式和外部存储器装置的当前操作频率使用用于外部存储器装置的优化操作参数。附图说明将从下面结合附图的详细描述中更清楚地理解示出性的、非限制性的示例性实施例，在附图中：图1是示出根据示例性实施例的用于存储器装置的训练方法的流程图；图2是示出根据示例性实施例的计算系统的框图；图3是示出根据示例性实施例的包括在图2的计算系统中的存储器装置的示例的框图；图4是示出根据示例性实施例的图1中的执行训练操作的示例的流程图；图5A和图5B是用于描述根据示例性实施例的图4的训练操作的示图；图6是用于描述根据示例性实施例的存储用于多个操作频率中的每一个的可配置操作参数作为图1中的训练数据的示例的示图；图7是示出根据示例性实施例的图1中的执行训练操作的另一示例的流程图；图8A和图8B是用于描述根据示例性实施例的图7的训练操作的示图；图9是用于描述根据示例性实施例的存储用于多个操作频率中的每一个的可配置操作参数作为图1中的训练数据的另一示例的示图；以及图10、图11和图12是示出根据一个或多个示例性实施例的用于存储器装置的训练方法的流程图。具体实施方式将参照附图更完全地描述各个示例性实施例。然而，本公开可按照许多不同形式实现，并且不应理解为限于本文阐述的示例性实施例。相同的标号在本申请中将始终用于指代相同的元件。如本文所用，术语“和或”包括相关所列项中的一个或多个的任何和所有组合。相似地，当诸如“……中的至少一个”的表达出现于元件的列表之后时，修饰元件的整个列表而不修饰列表中的单独的元件。图1是示出用于根据示例性实施例的存储器装置的训练方法的流程图。参照图1，通过连接至存储器装置并且控制存储器装置的操作的主机执行根据示例性实施例的用于存储器装置的训练方法。下面将参照图2描述包括主机50和存储器装置120的计算系统10的详细构造。在根据示例性实施例的用于存储器装置的训练方法中，当存储器装置通电时对存储器装置执行初始化操作操作S100。初始化操作可被称作启动操作或启动存储器装置的一系列操作。启动操作可表示通过加载指令代码准备存储器装置的正常操作的操作以及将电力提供或施加至存储器装置的操作。对存储器装置执行训练操作操作S200。存储器装置基于多个操作频率之一操作，并且对存储器装置的所述多个操作频率执行训练操作。通过训练操作，获得存储器装置的多个操作参数中的至少一个作为用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数。换句话说，可根据存储器装置的操作环境改变存储器装置的操作频率，并且可基于训练操作针对各个操作频率设置至少一个可配置的操作参数。存储用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数，作为训练数据操作S300。训练数据可存储在主机中或通过主机存储。基于训练数据、存储器装置的当前操作模式和存储器装置的当前操作频率使用用于存储器装置的优化操作参数操作S400。在一个或多个示例性实施例中，存储器装置可基于动态地改变存储器装置的操作频率和操作电压的动态电压频率调节DVFS方案操作，并且训练数据可用于将DVFS运用和或应用到存储器装置上。例如，当存储器装置的操作频率根据DVFS方案改变时，可基于训练数据加载用于当前操作频率的至少一个可配置的操作参数，并且可基于当前操作模式使用一个可配置的操作参数作为优化操作参数。在根据示例性实施例的用于存储器装置的训练方法中，可基于训练操作确定用于存储器装置的不同操作频率的优化操作参数。因此，存储器装置可具有相对提高或改进的操作稳定性，可防止不必要的电流消耗，并且可具有相对低的功耗。图2是示出根据示例性实施例的计算系统10的框图。参照图2，计算系统10包括主机50和存储器系统100。计算系统10还可包括电源装置500。在一个或多个示例性实施例中，计算系统10可为任何电子系统，诸如个人计算机PC、笔记本计算机、移动电话、智能电话、平板计算机、个人数字助理PDA、企业数字助理EDA、便携式多媒体播放器PMP、数码相机、音乐播放器、便携式游戏机、导航系统、可佩戴系统、物联网IoT系统、虚拟现实VR系统、增强现实AR系统、工作站等。主机50可控制计算系统10的整体操作。例如，主机50可将时钟信号CLK和第一控制信号CONT1提供至存储器系统100，可与存储器系统100交换数据DAT，并且可将第二控制信号CONT2提供至电源装置500。主机50可包括至少一个处理器60和内部存储器70。可通过执行操作系统OS驱动处理器60。OS可包括用于文件管理的文件系统和用于在OS级别控制外围装置的装置驱动器。另外，处理器60可执行提供多种服务的多个应用。例如，处理器60可执行视频应用、游戏应用、网络浏览器应用等。此外，处理器60可为诸如中心处理单元CPU、微处理器、应用处理器AP等的任何处理单元。内部存储器70可存储通过处理器60执行或处理的代码、指令和数据。例如，内部存储器70可为启动存储装置。内部存储器70可存储用于执行用于存储器装置120的初始化操作和或启动操作的启动代码BC，并且可存储上面参照图1描述的训练操作的结果，作为训练数据TDAT。例如，内部存储器70可为当断电时保持存储的数据的非易失性存储器装置。在一个或多个示例性实施例中，主机50可为系统芯片SOC。在这种情况下，主机50可包括各种功能块，例如，接口单元例如，接口、数字信号处理单元例如，数字信号处理器、模拟信号处理单元例如，模拟信号处理器等。存储器系统100可基于时钟信号CLK和第一控制信号CONT1操作，并且可与主机50交换数据DAT。例如，基于主机50的请求，存储器系统100可存储例如，写入从主机50提供的数据，或者可为主机50取出例如，读取存储的数据。存储器系统100可包括存储器控制器110、至少一个存储器装置120和电压产生器130。存储器控制器110可控制存储器系统100的整体操作。例如，基于主机50的请求，存储器控制器110可控制存储器装置120的数据读写操作。存储器控制器110可将命令CMD和地址ADDR提供至存储器装置120，并且可与存储器装置120交换数据信号DQ和数据选通信号DQS。可基于时钟信号CLK产生数据选通信号DQS。可将存储器控制器110布置在主机50内部。电压产生器130可基于电源电压VPWR产生参考电压VREF。参考电压VREF可用于确定数据信号DQ是逻辑高电平还是逻辑低电平。例如，电压产生器130可包括开关稳压器regulator和或线性稳压器例如，低压差LDO稳压器。存储器装置120可经存储器控制器110与主机50通信。存储器装置120可包括多个存储器单元，并且可包括例如，可分为多个分块122RANK0和124RANKN。所述多个分块122和124中的每一个可包括多个存储器单元。如上面参照图1的描述，存储器装置120可以多个操作频率之一操作，并且存储器装置120的操作频率可根据DVFS方案改变。在一个或多个示例性实施例中，存储器装置120可与从主机50提供的时钟信号CLK同步地操作，并且可为当断电时丢失存储的数据的易失性存储器装置。下面将参照图3描述存储器装置120的详细构造。电源装置500可基于第二控制信号CONT2产生电源电压VPWR。电源装置500可将电源电压例如，电源电压VPWR提供至主机50。在一个或多个示例性实施例中，电源装置500可为电力管理集成电路PMIC。下面将描述与根据示例性实施例的用于存储器装置120的训练方法关联的计算系统10的操作。当计算系统10和存储器装置120通电时，主机50加载存储在内部存储器70中的启动代码BC，将启动代码BC发送至存储器系统100，并且对存储器装置120执行初始化操作或启动操作。主机50对存储器装置120的所述多个操作频率执行训练操作，以获得存储器装置120的所述多个操作参数中的至少一个，作为用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数。主机50和存储器装置120例如，存储器系统100可在执行训练操作的同时彼此交换训练信息TINF。主机50将用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数存储在内部存储器70中，作为训练数据TDAT。接着，主机50基于训练数据TDAT、存储器装置120的当前操作模式和存储器装置120的当前操作频率使用用于存储器装置120的优化操作参数。换句话说，操作S100、S200、S300和S400全部通过主机50执行。例如，操作S100、S200和S400可通过处理器60执行，操作S300可通过处理器60和内部存储器70执行。图3是示出根据示例性实施例的包括在图2的计算系统中的存储器装置的示例的框图。参照图3，存储器装置200包括控制逻辑电路210、刷新控制电路215、地址寄存器220、区块bank控制逻辑电路230、行地址多路转换器240、列地址锁存器250、行解码器、列解码器、存储器单元阵列、读出放大器单元例如，读出放大器、输入输出IO门控电路290、数据IO缓冲器295、晶片端接ODT电路297和数据IO焊盘299。应该理解，一个或多个其它示例性实施例不限于在图3中示出和描述的组件的特定组合和数量。在一个或多个示例性实施例中，存储器装置200可为图2中的存储器装置120，并且可为例如易失性存储器装置。例如，存储器装置200可为各种易失性存储器装置之一，诸如动态随机存取存储器DRAM、移动DRAM、双数据率DDRDRAM、低功率DDRLPDDRDRAM、图形DDRGDDRDRAM等。存储器单元阵列包括多个存储器单元。存储器单元阵列可包括多个区块阵列，例如，第一区块阵列至第四区块阵列280a、280b、280c和280d。行解码器可包括多个区块行解码器，例如，分别连接至第一区块阵列至第四区块阵列280a、280b、280c和280d的第一区块行解码器至第四区块行解码器260a、260b、260c和260d。列解码器可包括多个区块列解码器，例如，分别连接至第一区块阵列至第四区块阵列280a、280b、280c和280d的第一区块列解码器至第四区块列解码器270a、270b、270c和270d。读出放大器单元可包括多个区块读出放大器，例如，分别连接至第一区块阵列至第四区块阵列280a、280b、280c和280d的第一区块读出放大器至第四区块读出放大器285a、285b、285c和285d。第一区块阵列280a至第四区块阵列280d、第一区块行解码器260a至第四区块行解码器260d、第一区块列解码器270a至第四区块列解码器270d和第一区块读出放大器285a至第四区块读出放大器285d可分别形成第一区块至第四区块。例如，第一区块阵列280a、第一区块行解码器260a、第一区块列解码器270a和第一区块读出放大器285a可形成第一区块；第二区块阵列280b、第二区块行解码器260b、第二区块列解码器270b和第二区块读出放大器285b可形成第二区块；第三区块阵列280c、第三区块行解码器260c、第三区块列解码器270c和第三区块读出放大器285c可形成第三区块；并且第四区块阵列280d、第四区块行解码器260d、第四区块列解码器270d和第四区块读出放大器285d可形成第四区块。虽然图3示出了包括四个区块的存储器装置200，但是应该理解，一个或多个其它示例性实施例不限于此，并且存储器装置200可包括任意数量的区块。还应该理解，虽然图3所示的数量为四的组件彼此具有一一对应关系，但是一个或多个其它示例性实施例不限于此。例如，可具有比所示的更多或更少的解码器或传感器。地址寄存器220可从存储器控制器例如，图2中的存储器控制器110接收包括区块地址BANK_ADDR、行地址ROW_ADDR和列地址COL_ADDR的地址ADDR。地址寄存器220可将接收到的区块地址BANK_ADDR提供至区块控制逻辑电路230，可将接收到的行地址ROW_ADDR提供至行地址多路转换器240，并且可将接收到的列地址COL_ADDR提供至列地址锁存器250。区块控制逻辑电路230可响应于接收到区块地址BANK_ADDR而产生区块控制信号。可响应于通过区块控制逻辑电路230产生的区块控制信号激活对应于接收到的区块地址BANK_ADDR的第一区块行解码器260a至第四区块行解码器260d中的一个，并且可响应于通过区块控制逻辑电路230产生的区块控制信号激活对应于接收到的区块地址BANK_ADDR的第一区块列解码器270a至第四区块列解码器270d中的一个。刷新控制电路215可响应于接收刷新命令或进入任何自刷新模式而产生刷新地址REF_ADDR。例如，刷新控制电路215可包括刷新计数器，其被构造为从存储器单元阵列的第一地址至存储器单元阵列的最后一个地址按次序改变刷新地址REF_ADDR。刷新控制电路215可从控制逻辑电路210接收控制信号。行地址多路转换器240可从地址寄存器220接收行地址ROW_ADDR，并且可从刷新控制电路215接收刷新地址REF_ADDR。行地址多路转换器240可选择性地输出行地址ROW_ADDR或刷新地址REF_ADDR。可将从行地址多路转换器240输出的行地址例如，行地址ROW_ADDR或刷新地址REF_ADDR应用于第一区块行解码器260a至第四区块行解码器260d。第一区块行解码器260a至第四区块行解码器260d中的被激活的一个可解码从行地址多路转换器240输出的行地址，并且可激活对应于行地址的字线。例如，激活的区块行解码器可将字线驱动电压施加至对应于行地址的字线。列地址锁存器250可从地址寄存器220接收列地址COL_ADDR，并且可暂时存储接收到的列地址COL_ADDR。列地址锁存器250可将暂时存储的或接收到的列地址COL_ADDR应用于第一区块列解码器270a至第四区块列解码器270d。第一区块列解码器270a至第四区块列解码器270d中的激活的一个可解码从列地址锁存器250输出的列地址COL_ADDR，并且可控制IO门控电路290，以输出对应于列地址COL_ADDR的数据。IO门控电路290可包括用于对IO数据进行门控的电路。例如，IO门控电路290可包括输入数据屏蔽逻辑、用于存储从第一区块阵列280a至第四区块阵列280d输出的数据的读数据锁存器和用于将数据写入第一区块阵列280a至第四区块阵列280d的写驱动器。可通过耦接至对应的区块阵列的读出放大器感测将从第一区块阵列280a至第四区块阵列280d之一中读取的数据DQ，并且可将数据DQ存储在读数据锁存器中。可将存储在读数据锁存器中的数据DQ经数据IO缓冲器295和数据IO焊盘299提供至存储器控制器。可将经数据IO焊盘299接收到的将被写至第一区块阵列280a至第四区块阵列280d之一的数据DQ从存储器控制器提供至数据IO缓冲器295。可将经数据IO焊盘299接收到并且提供至数据IO缓冲器295的数据DQ经IO门控电路290中的写驱动器写至对应的区块阵列。控制逻辑电路210可控制存储器装置200的操作。例如，控制逻辑电路210可产生使存储器装置200执行数据写操作或数据读操作的控制信号。控制逻辑电路210可包括解码从存储器控制器接收到的命令CMD的命令解码器211和设置存储器装置200的操作模式的模式寄存器212。例如，命令解码器211可通过解码写使能信号例如，WE、行地址选通信号例如，RAS、列地址选通信号例如，CAS、芯片选择信号例如，CS等产生对应于命令CMD的控制信号。控制逻辑电路210还可接收时钟信号例如，CLK和用于同步地操作存储器装置200的时钟使能信号例如，CKE。ODT电路297可连接至数据IO焊盘299和数据IO缓冲器295。当启用ODT电路297时，可执行ODT操作。ODT操作可利用终端电阻器减少和或防止信号反射，以提高信号完整性。图4是示出根据示例性实施例的图1中的执行训练操作的示例的流程图。图5A和图5B是用于描述根据示例性实施例的图4的训练操作的示图。图6是用于描述根据示例性实施例的存储用于多个操作频率中的每一个的可配置操作参数作为图1中的训练数据的示例的示图。参照图1、图2、图4、图5A和图5B，存储器装置120的所述多个操作参数可包括存储器装置120的多个驱动强度。驱动强度可被称作驱动能力。通常，随着存储器装置120的驱动强度增大，存储器装置120的操作稳定性和电流消耗可增大。在执行训练操作的过程中例如，在图1中的操作S200中，可针对所述多个操作频率和针对所述多个驱动强度测量存储器装置120的多个数据有效窗口操作S210。在一个或多个示例性实施例中，所述多个驱动强度可包括第一驱动强度DS1、第二驱动强度DS2、第三驱动强度DS3和第四驱动强度DS4。在该示例中，可针对存储器装置120的所述多个操作频率中的每一个测量用于第一驱动强度至第四驱动强度DS1、DS2、DS3和DS4的数据有效窗口。如图5A所示，可针对存储器装置120的所述多个操作频率中的第一操作频率F1测量数据有效窗口。例如，可针对第一操作频率F1和第一驱动强度DS1测量数据有效窗口DVW_F1_DS1，可针对第一操作频率F1和第二驱动强度DS2测量数据有效窗口DVW_F1_DS2，可针对第一操作频率F1和第三驱动强度DS3测量数据有效窗口DVW_F1_DS3，并且可针对第一操作频率F1和第四驱动强度DS4测量数据有效窗口DVW_F1_DS4。在图5A中，将每个数据有效窗口示为包括17×16宽度×高度个矩形块的矩形。在多个矩形块中，空白矩形块表示其中确定数据有效的有效区或通过区，并且阴影矩形块表示其中确定数据无效的无效区或失效区。在一个或多个示例性实施例中，驱动强度的值可按照第一驱动强度DS1、第二驱动强度DS2、第三驱动强度DS3和第四驱动强度DS4的次序增大。换句话说，在第一驱动强度至第四驱动强度DS1、DS2、DS3和DS4中，第一驱动强度DS1可具有最小值，并且第四驱动强度DS4可具有最大值。通常，数据有效窗口中的有效区的总面积可随着驱动强度的值增大而增大例如，有效区的总面积可与驱动强度的值成比例，因此数据有效窗口DVW_F1_DS1中的有效区的总面积可具有最小大小，并且数据有效窗口DVW_F1_DS4中的有效区的总面积可具有最大大小。在一个或多个示例性实施例中，在测量所述多个数据有效窗口的过程中例如，在操作S210中，可基于数据信号DQ和数据选通信号DQS测量所述多个数据有效窗口的第一范围，并且可基于参考电压VREF测量所述多个数据有效窗口的第二范围。第一范围中的每一个可沿着第一方向D1，并且第二范围中的每一个可沿着与第一方向D1交叉的第二方向D2。例如，第二方向D2可垂直于第一方向D1。例如，可通过固定数据信号DQ和数据选通信号DQS之一以及通过将数据信号DQ和数据选通信号DQS中的另一个移位，基于时钟信号CLK测量数据有效窗口DVW_F1_DS1沿着第一方向D1的范围。通常，数据信号DQ或数据选通信号DQS可随着时间例如，每预定时间间隔重复地从逻辑高电平和逻辑低电平之一转变例如，切换为逻辑高电平和逻辑低电平中的另一个。换句话说，上升沿和下降沿可在数据信号DQ或数据选通信号DQS中重复。例如，数据信号DQ可固定，数据选通信号DQS可在第一方向D1上以预定单位例如，各个矩形块的宽度重复地移位，因此可在数据选通信号DQS的各个上升沿或各个下降沿测量数据信号DQ的有效范围。结果，可测量数据有效窗口DVW_F1_DS1沿着第一方向D1的范围。另外，可通过移动基于电源电压VPWR产生的参考电压VREF的电平来测量数据有效窗口DVW_F1_DS1沿着第二方向D2的范围。如以上参照图2所述，可使用参考电压VREF来确定数据信号DQ具有逻辑低电平还是逻辑高电平。例如，数据信号DQ可固定，参考电压VREF的电平可在第二方向D2上以预定单位例如，各个矩形块的高度重复移动，因此可在参考电压VREF的各个电平测量数据信号DQ的有效范围。结果，可测量数据有效窗口DVW_F1_DS1沿着第二方向D2的范围。在测量所述多个数据有效窗口之后例如，在操作S210之后，可基于预定屏幕引导来选择所述多个测量的数据有效窗口中的至少一个操作S220。例如，可选择满足或执行预定屏幕引导的至少一个数据有效窗口。在一个或多个示例性实施例中，预定屏幕引导可表示为参考窗口，并且当数据有效窗口中的有效区的总面积包括参考窗口时，可确定数据有效窗口满足或执行预定屏幕引导。例如，如图5B所示，可在数据有效窗口DVW_F1_DS1中的参考窗口RW中包括阴影矩形块，因此可确定数据有效窗口DVW_F1_DS1不满足预定屏幕引导。在数据有效窗口DVW_F1_DS2、DVW_F1_DS3和DVW_F1_DS4中的每一个中的参考窗口RW中可仅包括空白矩形块，因此，可确定数据有效窗口DVW_F1_DS2、DVW_F1_DS3和DVW_F1_DS4中的每一个满足预定屏幕引导。结果，在操作S220中可针对第一操作频率F1选择数据有效窗口DVW_F1_DS2、DVW_F1_DS3和DVW_F1_DS4。在图5B中，参考窗口RW示为包括9×4宽度×高度个矩形块的矩形。如果假设各个数据有效窗口中的最左最上矩形块的坐标为1，1，则参考窗口RW中的最左最上矩形块的坐标为5，6。虽然上面参照图5A和图5B描述的示例性实施例基于其中针对第一操作频率F1测量数据有效窗口DVW_F1_DS1、DVW_F1_DS2、DVW_F1_DS3和DVW_F1_DS4以及基于参考窗口RW针对第一操作频率F1选择数据有效窗口DVW_F1_DS1、DVW_F1_DS2、DVW_F1_DS3和DVW_F1_DS4中的至少一个的示例，但是应该理解，一个或多个其它示例性实施例不限于此。例如，还可针对除第一操作频率F1之外的所述多个操作频率例如，第二操作频率F2等测量数据有效窗口，并且还可针对除第一操作频率F1之外的所述多个操作频率选择测量的数据有效窗口中的至少一个。参照图1、图2和图6，在执行训练操作之后例如，在图1中的操作S200之后，存储用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数作为训练数据TDAT图1中的操作S300。例如，可将训练数据TDAT存储在被包括在主机50中的内部存储器70中。在一个或多个示例性实施例中，可基于通过图4中的操作S220获得的所述至少一个选择的数据有效窗口，存储存储器装置120的所述多个操作频率与用于所述多个操作频率的可配置的驱动强度之间的关系，作为训练数据TDAT。例如，如图6所示，可将训练数据TDAT存储为一种包括所述多个操作频率和对应的可配置的驱动强度的表。如以上参照图5A和图5B的描述，可将第二驱动强度DS2、第三驱动强度DS3和第四驱动强度DS4登记为用于第一操作频率F1的可配置的驱动强度。相似地，可将第三驱动强度DS3和第四驱动强度DS4登记为用于第二操作频率F2的可配置的驱动强度，并且可针对其它操作频率登记可配置的驱动强度。在存储训练数据TDAT之后例如，在图1中的操作S300之后，基于训练数据TDAT、存储器装置120的当前操作模式和存储器装置120的当前操作频率使用用于存储器装置120的优化操作参数操作S400。如以上参照图4至图6的描述，所述多个操作参数可包括所述多个驱动强度，因此可在操作S400中使用优化的驱动强度。在一个或多个示例性实施例中，存储器装置120的操作模式可包括低功率模式。当当前操作模式是低功率模式时，如上所述，因为存储器装置120的电流消耗随着存储器装置120的驱动强度增大或减小而增大或减小，所以可确定用于当前操作频率的可配置的驱动强度中的最小驱动强度作为优化操作参数。例如，当当前操作模式是低功率模式时，并且当当前操作频率是第一操作频率F1时，可确定第二驱动强度DS2为优化操作参数。在一个或多个示例性实施例中，存储器装置120的操作模式可包括高性能模式。当当前操作模式是高性能模式时，如上所述，因为存储器装置120的操作稳定性随着存储器装置120的驱动强度增大而升高，所以可将用于当前操作频率的可配置的驱动强度中的最大驱动强度确定为优化操作参数。例如，当当前操作模式是高性能模式时，并且当当前操作频率是第一操作频率F1时，可将第四驱动强度DS4确定为优化操作参数。在一个或多个示例性实施例中，当存储器装置120的操作频率根据DVFS方案改变时，优化驱动强度也可改变。图7是示出根据示例性实施例的图1中的执行训练操作的另一示例的流程图。图8A和图8B是用于描述根据示例性实施例的图7的训练操作的示图。图9是用于描述根据示例性实施例的存储用于多个操作频率中的每一个的可配置操作参数作为图1中的训练数据的另一示例的示图。参照图1、图2、图7、图8A和图8B，存储器装置120的所述多个操作参数可包括存储器装置120的多个ODT电阻值。如上所述，可通过为信号传输线提供用于阻抗匹配的终端电阻元件的ODT电路例如，图3中的ODT电路297执行ODT操作。通过利用终端电阻器，ODT操作可减小和或防止信号被反射，以提高信号完整性。例如，ODT电阻值可代表终端电阻器的电阻。在执行训练操作的过程中例如，在图1中的操作S200中，可针对所述多个操作频率和所述多个ODT电阻值测量存储器装置120的多个数据有效窗口操作S230。操作S230可与图4中的操作S210相似。在一个或多个示例性实施例中，所述多个ODT电阻值可包括第一ODT电阻值OV1、第二ODT电阻值OV2、第三ODT电阻值OV3和第四ODT电阻值OV4。在该示例中，可针对存储器装置120的所述多个操作频率中的每一个测量用于第一ODT电阻值至第四ODT电阻值OV1、OV2、OV3和OV4的数据有效窗口。如图8A所示，可针对存储器装置120的所述多个操作频率中的第一操作频率F1测量数据有效窗口。例如，可针对第一操作频率F1和第一ODT电阻值OV1测量数据有效窗口DVW_F1_OV1，可针对第一操作频率F1和第二ODT电阻值OV2测量数据有效窗口DVW_F1_OV2，可针对第一操作频率F1和第三ODT电阻值OV3测量数据有效窗口DVW_F1_OV3，并且可针对第一操作频率F1和第四ODT电阻值OV4测量数据有效窗口DVW_F1_OV4。在一个或多个示例性实施例中，ODT电阻值可按照第一ODT电阻值OV1、第二ODT电阻值OV2、第三ODT电阻值OV3和第四ODT电阻值OV4的次序减小。换句话说，在第一ODT电阻值至第四ODT电阻值OV1、OV2、OV3和OV4中，第一ODT电阻值OV1可具有最大值，第四ODT电阻值OV4可具有最小值。通常，数据有效窗口中的有效区的总面积可随着ODT电阻值增大而减小例如，有效区的总面积可与ODT电阻值成反比，因此数据有效窗口DVW_F1_OV1中的有效区的总面积可具有最小大小，并且数据有效窗口DVW_F1_OV4中的有效区的总面积可具有最大大小。在一个或多个示例性实施例中，在测量所述多个数据有效窗口的过程中例如，在操作S230中，可基于数据信号DQ和数据选通信号DQS测量所述多个数据有效窗口的第一范围，并且可基于参考电压VREF测量所述多个数据有效窗口的第二范围。第一范围中的每一个可沿着第一方向D1，并且第二范围中的每一个可沿着与第一方向D1交叉的第二方向D2。例如，如以上参照图5A描述的示例，通过固定数据信号DQ和数据选通信号DQS之一和通过将数据信号DQ和数据选通信号DQS中的另一个移位，可基于时钟信号CLK测量数据有效窗口DVW_F1_OV1沿着第一方向D1的范围。可通过移动参考电压VREF的电平来测量数据有效窗口DVW_F1_OV1沿着第二方向D2的范围。在测量所述多个数据有效窗口之后例如，在操作S230之后，可基于预定屏幕引导来选择所述多个测量的数据有效窗口中的至少一个操作S240。操作S240可与图4中的操作S220相似。在一个或多个示例性实施例中，可将预定屏幕引导表示为参考窗口，并且当数据有效窗口中的有效区的总面积包括参考窗口时可将数据有效窗口确定为满足或执行预定屏幕引导。例如，如图8B所示，在数据有效窗口DVW_F1_OV1和DVW_F1_OV2中的参考窗口RW中可包括阴影矩形块，因此可确定数据有效窗口DVW_F1_OV1和DVW_F1_OV2中的每一个不满足预定屏幕引导。在数据有效窗口DVW_F1_OV3和DVW_F1_OV4中的每一个中的参考窗口RW中可仅包括空白矩形块，因此可确定数据有效窗口DVW_F1_OV3和DVW_F1_OV4中的每一个满足预定屏幕引导。结果，在操作S240中，可针对第一操作频率F1选择数据有效窗口DVW_F1_OV3和DVW_F1_OV4。图8A和图8B中的各个数据有效窗口的大小和参考窗口RW的位置可分别与图5A和图5B中的各个数据有效窗口的大小和参考窗口RW的位置基本相同。在一个或多个示例性实施例中，与驱动强度关联的参考窗口例如，图5B中的参考窗口RW的大小和或位置可不同于与ODT电阻值关联的参考窗口例如，图8B中的参考窗口RW的大小和或位置。虽然上面参照图8A和图8B描述的示例性实施例基于其中针对第一操作频率F1测量数据有效窗口DVW_F1_OV1、DVW_F1_OV2、DVW_F1_OV3和DVW_F1_OV4并且基于参考窗口RW针对第一操作频率F1选择数据有效窗口DVW_F1_OV1、DVW_F1_OV2、DVW_F1_OV3和DVW_F1_OV4中的至少一个的示例，但是应该理解，一个或多个其它示例性实施例不限于此。例如，还可针对除第一操作频率F1之外的所述多个操作频率例如，第二操作频率F2等测量数据有效窗口，并且还可针对除第一操作频率F1之外的所述多个操作频率选择所测量的数据有效窗口中的至少一个。参照图1、图2和图9，在执行训练操作之后例如，在图1中的操作S200之后，存储用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数作为训练数据TDAT图1中的操作S300。在一个或多个示例性实施例中，可基于通过图7中的操作S240获得的所述至少一个选择的数据有效窗口，存储存储器装置120的所述多个操作频率与用于所述多个操作频率的可配置的ODT电阻值之间的关系作为训练数据TDAT。例如，如图9所示，可将训练数据TDAT存储为包括所述多个操作频率和对应的可配置的ODT电阻值的一种表。如以上参照图8A和图8B的描述，可将第三ODT电阻值OV3和第四ODT电阻值OV4登记为用于第一操作频率F1的可配置的ODT电阻值。相似地，可将第二ODT电阻值OV2、第三ODT电阻值OV3和第四ODT电阻值OV4登记为用于第二操作频率F2的可配置的ODT电阻值，并且可针对其它操作频率登记可配置的ODT电阻值。在存储训练数据TDAT之后例如，在图1中的操作S300之后，基于训练数据TDAT、存储器装置120的当前操作模式和存储器装置120的当前操作频率使用用于存储器装置120的优化操作参数图1中的操作S400。如以上参照图7至图9的描述，所述多个操作参数可包括所述多个ODT电阻值，因此在操作S400中可使用优化的ODT电阻值。在一个或多个示例性实施例中，当当前操作模式是低功率模式时，可将用于当前操作频率的可配置的ODT电阻值中的最大ODT电阻值确定为优化操作参数。在一个或多个示例性实施例中，当当前操作模式是高性能模式时，可将用于当前操作频率的可配置的ODT电阻值中的最小ODT电阻值确定为优化操作参数。在一个或多个示例性实施例中，当存储器装置120的操作频率根据DVFS方案改变时，优化的ODT电阻值也可改变。在一个或多个示例性实施例中，存储器装置120的所述多个操作参数可包括以上参照图4至图6描述的所述多个驱动强度和以上参照图7至图9描述的所述多个ODT电阻值二者。在该示例中，可针对所述多个操作频率、针对所述多个驱动强度以及针对所述多个ODT电阻值测量存储器装置120的多个数据有效窗口，可基于预定屏幕引导来选择所述多个测量的数据有效窗口中的至少一个，并且存储用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数例如，驱动强度和ODT电阻值二者作为训练数据TDAT，并且基于训练数据TDAT使用用于存储器装置120的优化操作参数。虽然以上参照图4至图9描述的示例性实施例基于特定数量的操作频率、驱动强度和ODT电阻值，但是应该理解，一个或多个其它示例性实施例不限于此。例如，示例性实施例可应用于训练具有任何数量的操作频率、驱动强度和ODT电阻值的任何存储器装置。虽然上面基于其中所述多个操作参数包括描述的所述多个驱动强度和所述多个ODT电阻值中的至少一个的示例描述了一个或多个示例性实施例，但是应该理解，一个或多个其它示例性实施例不限于此。例如，示例性实施例可应用于基于训练操作确定用于存储器装置的各个操作频率的任何优化操作参数。虽然上面参照图1至图9描述的示例性实施例基于其中针对存储器装置120的当前操作模式和当前操作频率确定一个优化操作参数的示例，但是应该理解，一个或多个其它示例性实施例不限于此。例如，应该理解，示例性实施例可运用于针对用于存储器装置120的当前操作模式和当前操作频率确定两个或更多个优化操作参数。例如，如图2所示，当存储器装置120包括所述多个分块122和124时，可不同地确定优化操作参数和将优化操作参数用于所述多个分块122和124中的每一个。例如，当当前操作模式是低功率模式并且当当前操作频率是第一操作频率F1时，可将第二驱动强度DS2确定为用于分块122例如，第一分块的优化操作参数，并且可将第三驱动强度DS3确定为用于分块124例如，第二分块的优化操作参数。在根据一个或多个示例性实施例的用于存储器装置的训练方法以及执行根据一个或多个示例性实施例的方法的计算系统和主机例如，SOC中，当存储器装置通电时，可基于训练操作确定用于存储器装置的不同操作频率的可配置操作参数例如，驱动强度、ODT电阻值等。因此，对于不同供应商、密度、处理等的各种存储器装置，可基于操作频率和操作模式有效地确定和使用优化操作参数。因此，在存储器装置操作或被驱动的同时，可满足操作稳定性和低功耗的条件或标准二者。图10、图11和图12是示出根据一个或多个示例性实施例的用于存储器装置的训练方法的流程图。参照图10，图10的用于存储器装置的训练方法可与图1的用于存储器装置的训练方法基本相同，不同的是，图10的用于存储器装置的训练方法还包括操作S500和S600。因此，下面将省略重复解释。在当存储器装置通电时对存储器装置执行初始化操作之后例如，在操作S100之后，可确定存储器装置是被冷启动第一次执行初始化操作还是存储器装置重启不是第一次执行初始化操作操作S500。存储器装置被冷启动的操作例如，冷启动操作可表示在制造商制造存储器装置或包括存储器装置的计算系统和或将其销售给用户之后第一次执行的启动操作。存储器装置重启的操作例如，重启或复位操作可表示在冷启动操作之后执行的启动操作。当存储器装置被冷启动时操作S500：是，执行操作S200中的训练操作、操作S300中的存储训练数据的操作以及操作S400中的使用优化操作参数的操作。当存储器装置不是被冷启动时，例如，当存储器装置重启时操作S500：否，因为存储器装置已经冷启动过并且已执行了操作S200中的训练操作和操作S300中的存储训练数据的操作，所以可加载或恢复已获得并被存储在主机例如，图2中的主机50的内部存储器70中的训练数据操作S600。当存储器装置重启时操作S500：否，可不基于通过操作S300获得的训练数据而是可基于已存储在主机中且通过操作S600被加载的训练数据来执行操作S400中的优化操作参数的操作。换句话说，当存储器装置重启时，可省略操作S200中的训练操作和操作S300中的存储训练数据的操作。参照图11，图11的用于存储器装置的训练方法可与图10的用于存储器装置的训练方法基本相同，不同的是，图11的用于存储器装置的训练方法还包括操作S700。因此，下面将省略重复解释。当存储器装置不是被冷启动时，例如，当存储器装置重启时操作S500：否，可在加载已获得并存储在主机中的训练数据之前，确定已获得并存储在主机中的训练数据是正常还是异常操作S700。当存储器装置重启时操作S500：否，并且当训练数据正常时操作S700：是，可加载已获得即，先前获得并存储在主机中的训练数据操作S600。可基于已存储在主机中并且通过操作S600加载的训练数据执行操作S400中的使用优化操作参数的操作。换句话说，当存储器装置重启时，可省略操作S200中的训练操作和操作S300中的存储训练数据的操作。当存储器装置重启时操作S500：否，并且当训练数据异常时操作S700：否，因为训练数据可能由于例如主机例如，图2中的主机50的内部存储器70中的一些问题和或来自主机外部的攻击例如，黑客攻击被损坏或破坏例如，被当成是被损坏或破坏，所以可重复操作S200中的训练操作和操作S300中的存储训练数据的操作。在这种情况下，可基于通过操作S200和S300获得的训练数据执行操作S400中的使用优化操作参数的操作。参照图12，图12的存储器装置的训练方法可与图10的存储器装置的训练方法基本相同，不同的是，图12的存储器装置的训练方法还包括操作S800。因此，下面将省略重复解释。当存储器装置不是被冷启动时，例如，当存储器装置重启时操作S500：否，可在加载已获得并存储在主机中的训练数据之前，确定训练数据的保留时间是否比参考时间更短操作S800。当存储器装置重启时操作S500：否，并且当训练数据的保留时间比参考时间更短时操作S800：是，可加载已获得并存储在主机中的训练数据操作S600。可基于已被存储即，先前存储在主机中并且通过操作S600加载的训练数据执行操作S400中的使用优化操作参数的操作。当存储器装置重启时操作S500：否，并且当训练数据的保留时间比参考时间更长或相等时操作S800：否，因为训练数据的可靠性可能被损坏或被破坏例如，被当成是被损坏或被破坏以使得主机例如，图2中的主机50的内部存储器70中的训练数据丢失、或者存储器装置的特性随时间改变，所以可重复操作S200中的训练操作和操作S300中的存储训练数据的操作。在这种情况下，可基于通过操作S200和S300获得的训练数据执行操作S400中的使用优化操作参数的操作。在一个或多个示例性实施例中，可通过主机例如，图2中的主机50执行图10、图11和图12中的操作S500和S600、图11中的操作S700和图12中的操作S800。例如，可通过包括在主机中的处理器例如，图2中的包括在主机50中的处理器60执行操作S500、S600、S700和S800。在根据示例性实施例的用于存储器装置的训练方法中，当存储器装置通电时可基于训练操作确定用于存储器装置的不同操作频率的可配置操作参数例如，驱动强度、ODT电阻值等。因此，可基于操作频率和操作模式有效地确定和使用优化操作参数。另外，当存储器装置重启时，可加载已获得并存储在主机中的训练数据。因此，用于启动操作的时间例如，执行初始化操作所需的时间可减少。还可在加载已获得并存储在主机中的训练数据之前执行改变训练数据的操作。可在包括SOC和存储器装置的各种装置和或系统中使用或实施一个或多个示例性实施例，所述各种装置和或系统诸如个人计算机、笔记本计算机、移动电话、智能电话、平板计算机、个人数字助理PDA、企业数字助理EDA、便携式多媒体播放器PMP、数码相机、音乐播放器、便携式游戏机、导航装置、可佩戴装置、物联网IoT装置、万物网IoE装置、电子书、虚拟现实VR装置、增强现实AR装置、工作站等。以上示出了示例性实施例，并且不应将其理解为是对示例性实施例的限制。虽然已经描述了一些示例性实施例，但是本领域技术人员应该容易理解，在不实质脱离本公开的新颖教导和优点的情况下，示例性实施例中的许多修改都是可能的。因此，所有这些修改旨在被包括在如权利要求限定的本公开的范围内。因此，应该理解，以上示出了各个示例性实施例，并且不应将其理解为限于公开的特定示例性实施例，并且对公开的示例性实施例的修改以及其它示例性实施例旨在被包括在所附权利要求的范围内。

权利要求：1.一种用于存储器装置的训练方法，该方法包括步骤：基于所述存储器装置被通电来对所述存储器装置执行初始化操作；对所述存储器装置的多个操作频率执行训练操作，以获得所述存储器装置的多个操作参数中的至少一个作为用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数；存储所获得的用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数作为训练数据；以及基于所述训练数据、所述存储器装置的当前操作模式和所述存储器装置的当前操作频率使用用于所述存储器装置的优化操作参数。2.根据权利要求1所述的方法，其中：所述多个操作参数包括所述存储器装置的多个驱动强度；并且执行所述训练操作的步骤包括：针对所述多个操作频率和所述多个驱动强度测量所述存储器装置的多个数据有效窗口；以及基于预定屏幕引导选择测量的所述多个数据有效窗口中的至少一个。3.根据权利要求2所述的方法，其中，测量所述多个数据有效窗口的步骤包括：基于数据信号和数据选通信号测量所述多个数据有效窗口的第一范围，所述第一范围中的每一个沿着第一方向；以及基于参考电压测量所述多个数据有效窗口的第二范围，所述第二范围中的每一个沿着与所述第一方向交叉的第二方向。4.根据权利要求3所述的方法，其中，测量所述多个数据有效窗口的第一范围的步骤包括：固定所述数据信号和所述数据选通信号之一并且将所述数据信号和所述数据选通信号中的另一个移位。5.根据权利要求3所述的方法，其中，测量所述多个数据有效窗口的第二范围的步骤包括：移动所述参考电压的电平。6.根据权利要求2所述的方法，其中，存储所获得的用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数的步骤包括：基于所选择的所述至少一个数据有效窗口，存储所述多个操作频率与用于所述多个操作频率的可配置的驱动强度之间的关系作为所述训练数据。7.根据权利要求6所述的方法，其中：所述存储器装置包括多个操作模式；所述多个操作模式包括低功率模式；并且基于当前操作模式为所述低功率模式，确定所述可配置的驱动强度中的最小驱动强度作为所述优化操作参数。8.根据权利要求6所述的方法，其中：所述存储器装置包括多个操作模式；所述多个操作模式包括高性能模式；并且基于当前操作模式为所述高性能模式，确定所述可配置的驱动强度中的最大驱动强度作为所述优化操作参数。9.根据权利要求1所述的方法，其中：所述多个操作参数包括所述存储器装置的多个晶片端接电阻值；并且执行所述训练操作的步骤包括：针对所述多个操作频率和所述多个晶片端接电阻值测量所述存储器装置的多个数据有效窗口，以及基于预定的屏幕引导来选择所测量的所述多个数据有效窗口中的至少一个。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个操作参数包括所述存储器装置的多个驱动强度和所述存储器装置的多个晶片端接电阻值。11.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：确定是所述存储器装置冷启动还是所述存储器装置重启，在所述冷启动中第一次执行初始化操作，在所述重启中不是第一次执行所述初始化操作；以及基于确定所述存储器装置重启，加载先前获得和存储的训练数据，其中，基于确定所述存储器装置重启，基于所述先前获得和存储的训练数据使用所述优化操作参数。12.根据权利要求11所述的方法，其中，基于确定所述存储器装置重启，不执行所述执行训练操作的步骤和所述存储所获得的用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数的步骤。13.根据权利要求11所述的方法，还包括步骤：基于确定所述存储器装置重启，确定所述先前获得和存储的训练数据是否正常，其中，基于确定所述存储器装置重启和确定所述训练数据正常，基于所述先前获得和存储的训练数据使用所述优化操作参数。14.根据权利要求11所述的方法，还包括步骤：基于所述存储器装置重启，确定所述训练数据的保留时间是否比参考时间更短，其中，基于确定所述存储器装置重启和确定所述训练数据的保留时间比参考时间更短，基于所述先前获得和存储的训练数据使用所述优化操作参数。15.一种计算系统，包括：存储器装置，其包括多个存储器单元和被构造为基于多个操作频率之一操作；以及主机，其被构造为：基于所述存储器装置被通电来对所述存储器装置执行初始化操作，对所述多个操作频率执行训练操作，以获得所述存储器装置的多个操作参数中的至少一个，作为用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数，存储所获得的用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数，作为训练数据，以及基于所述训练数据、所述存储器装置的当前操作模式和所述存储器装置的当前操作频率使用用于所述存储器装置的优化操作参数。16.根据权利要求15所述的计算系统，其中：所述多个操作参数包括所述存储器装置的多个驱动强度；并且所述主机还被构造为：通过针对所述多个操作频率和所述多个驱动强度来测量所述存储器装置的多个数据有效窗口以及通过基于预定的屏幕引导选择所测量的所述多个数据有效窗口中的至少一个，来执行所述训练操作。17.根据权利要求16所述的计算系统，其中：所述主机还被构造为，将时钟信号提供至所述存储器装置；通过固定所述存储器装置的数据信号和数据选通信号之一和通过将所述数据信号和所述数据选通信号中的另一个移位，基于所述时钟信号测量所述多个数据有效窗口的第一范围；并且所述第一范围中的每一个沿着第一方向。18.根据权利要求17所述的计算系统，还包括：电源装置，其被构造为将电源电压提供至所述存储器装置，其中，通过移动基于所述电源电压产生的参考电压的电平来测量所述多个数据有效窗口的第二范围，并且其中，所述第二范围中的每一个沿着与所述第一方向交叉的第二方向。19.根据权利要求15所述的计算系统，其中：所述多个操作参数包括所述存储器装置的多个晶片端接电阻值；并且所述主机还被构造为：通过针对所述多个操作频率和所述多个晶片端接电阻值测量所述存储器装置的多个数据有效窗口以及通过基于预定的屏幕引导选择所测量的所述多个数据有效窗口中的至少一个，来执行所述训练操作。20.一种系统芯片，包括：一个或多个集成电路，其被构造为：基于外部存储器装置被通电来对所述外部存储器装置执行初始化操作，对所述外部存储器装置的多个操作频率执行训练操作，以获得所述外部存储器装置的多个操作参数中的至少一个作为用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数，存储用于所述多个操作频率中的每一个的可配置的操作参数作为训练数据，以及基于所述训练数据、所述外部存储器装置的当前操作模式和所述外部存储器装置的当前操作频率使用用于所述外部存储器装置的优化操作参数。

百度查询： 三星电子株式会社 存储器装置训练方法、执行该方法的计算系统和系统芯片