龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：厦门大学
摘要：本发明属于半导体制作技术领域，具体公开了一种用于三维集成电路超高深宽比硅通孔金属化的方法，具体包括以下步骤：采用原子层沉积技术在衬底材料表面以及通孔沉积绝缘层；采用原子层沉积技术在绝缘层上沉积阻挡层，阻挡层为TiN、Ru中的一种或两种；采用原子层沉积技术在阻挡层上沉积种子层；在沉积的种子层上电镀铜。本发明采用ALD铜钟子层沉积技术，可以在不同衬底沉积铜种子层，并采用常见的酸性硫酸铜体系电镀药液，兼容性较好，打通了超高深宽比TSV无缺陷填实的工艺路线，有利于先进封装超高密度互连。
主权项：1.一种用于三维集成电路超高深宽比硅通孔金属化的方法，其特征在于，包括以下步骤：1采用ALD沉积技术在衬底材料表面以及通孔沉积绝缘层；2采用ALD沉积技术在步骤1沉积的绝缘层上沉积阻挡层，所述阻挡层为TiN、Ru中的一种或两种；3采用ALD沉积技术在步骤2沉积的阻挡层上沉积种子层；4在步骤3沉积的种子层上电镀铜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门大学 一种用于三维集成电路超高深宽比硅通孔金属化的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号