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申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司
摘要:一种存储器装置可以包括第一区域中的沟道结构。存储器装置还可以包括在邻接第一区域的第二区域中的多个字线腔体结构。多个字线腔体结构可以沿着第一方向延伸。字线腔体结构中的每一个字线腔体结构可以包括沿着垂直于第一方向的第二方向在字线腔体结构的第一侧中的第一触点结构。字线腔体结构中的每一个字线腔体结构还可以包括沿着第二方向在字线腔体结构的第二侧中的第二触点结构。第二侧可以与第一侧相对。字线腔体结构中的每一个字线腔体结构还可以包括缝隙结构。第一触点结构和第二触点结构可以沿着第二方向与缝隙结构分离。
主权项:1.一种存储器装置,包括:第一区域中的沟道结构;多个字线腔体结构,在邻接所述第一区域的第二区域中,其中,所述多个字线腔体结构沿着第一方向延伸,并且其中,所述字线腔体结构中的每一个字线腔体结构包括:沿着垂直于所述第一方向的第二方向在所述字线腔体结构的第一侧中的第一触点结构、以及沿着所述第二方向在所述字线腔体结构的第二侧中的第二触点结构,其中,所述第二侧与所述第一侧相对;以及缝隙结构,其中,所述第一触点结构和所述第二触点结构沿着所述第二方向与所述缝隙结构分离。
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百度查询: 长江存储科技有限责任公司 用于三维存储器装置的阶梯连接结构
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