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申请/专利权人：深圳先进电子材料国际创新研究院;中国科学院深圳先进技术研究院
摘要：本申请公开了一种先进电子封装材料的原位力学测试方法,涉及原位力学测试技术领域。所述原位力学测试方法包括采用聚焦离子束刻蚀出微纳米尺寸的柱形样品，所述柱形样品包括基板和位于所述基板一侧的封装材料层，所述封装材料层的厚度为250nm至600nm。使用原位力学样品杆在所述封装材料层背离所述基板的一面施加压力，以使所述柱形样品发生压缩变形，并得到所述柱形样品的应力和应变数据；采用透射电子显微镜获取测试过程中所述柱形样品的微观结构。本申请提供的原位力学测试方法,能够结合测试样品的力学测试数据和微观结构的变化对材料的结构和性能进行更好的研究和设计。
主权项：1.一种先进电子封装材料的原位力学测试方法，其特征在于，包括以下步骤：采用聚焦离子束刻蚀出微纳米尺寸的柱形样品，所述柱形样品包括基板和位于所述基板一侧的封装材料层，所述封装材料层的厚度为250nm至600nm；使用原位力学样品杆在所述封装材料层背离所述基板的一面施加压力，以使所述柱形样品发生压缩变形，并得到所述柱形样品的应力和应变数据；采用透射电子显微镜获取测试过程中所述柱形样品的微观结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳先进电子材料国际创新研究院 中国科学院深圳先进技术研究院 一种先进电子封装材料的原位力学测试方法
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