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申请/专利权人：上海埃延半导体有限公司
摘要：本发明总的来说涉及半导体制造技术领域。具体而言，本发明涉及一种弥漫层流反应腔体及控制方法。所述反应腔体包括：衬底：主气体入口，其被配置为将工艺气体注入反应腔体中以在衬底的表面形成层流界面层；以及弥漫面，其被配置为将弥漫气体注入或者吸出所述反应腔体以在所述层流界面层的上形成弥漫界面层，其中所述弥漫界面层被配置为使得所述工艺气体的流速增加并且使得所述层流界面层的厚度降低，进而可以加快反应速度并且抑制反应腔壁上的气相成核、减少反应过程中的颗粒。
主权项：1.一种弥漫层流反应腔体，其特征在于，包括：衬底和或底座；主气体入口，其被配置为将工艺气体注入反应腔体中以在衬底的表面形成层流界面层；以及弥漫面，其被配置为将弥漫气体注入或者吸出所述反应腔体以在所述层流界面层的上形成弥漫界面层；其中通过调节工艺气体的流量、弥漫气体注入的流量、弥漫面的温度、弥漫面的高度来调节弥漫界面层以及层流界面层的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海埃延半导体有限公司 一种弥漫层流反应腔体及控制方法
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