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申请/专利权人：深圳市朗科智能电气股份有限公司
摘要：本发明公开了一种基于正弦交流电压可控硅功率控制方法及电路，所述方法采用双向可控硅控制发热丝，包括步骤：设发热丝限值电压为U1；检测获取发热丝实际电压U2，对U1和U2进行比较处理；根据以下公式进行能量包络的计算：Q1Q2＝P1P2＝＝U12U22＝D2＝N2K；电压U2在一个发热周期内采用N个能量包络，丢弃掉2K‑N个能量包络，双向可控硅根据采用的能量包络数量和丢弃的能量包络数量进行导通和关断，使Q2等于Q1。本发明利用可控硅在一个发热周期内的导通和关断的次数比，实现不同电压都能够在相同发热周期内实现恒定的输出功率，避免发热丝因电压突升导致的温度增加，对用电设备起到保护作用。
主权项：1.一种基于正弦交流电压可控硅功率控制方法，其特征在于，所述方法采用双向可控硅控制发热丝，包括以下步骤：S1，设发热丝限值电压为U1，P1＝U12R，R为发热丝的电阻；S2，检测获取发热丝实际电压U2，若U2大于U1，进入下一步骤S3，若U2小于或等于U1，则继续检测发热丝的实际电压，P2＝U22R；S3，根据以下公式进行能量包络的计算：Q1Q2＝P1P2＝＝U12U22＝D2＝N2K，Q1、P1为限值电压U1对应的电能、功率，Q2、P2为实际电压U2对应的电能、功率，D为U1和U2的电压比，D2为电压比的平方，2K为一个发热周期中的总能量包络数量,N为发热丝在电压U2时实际采用的能量包络数量，2K-N为丢弃的能量包络数量，一个正弦波周期中每个半波定义为一个能量包络；S4，当发热丝从电压U1升高到电压U2时，电压U2在一个发热周期内采用N个能量包络，丢弃掉2K-N个能量包络，双向可控硅根据采用的能量包络数量和丢弃的能量包络数量进行导通和关断，使Q2等于Q1。
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