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申请/专利权人：承勰科技(上海)有限公司
摘要：本发明提供了一种TSV背面露孔结构及制备方法。应用于先进封装技术领域，所述方法包括将衬底的正面通过临时键合胶粘黏到载体上；对所述衬底的背面进行减薄，直至露出第二导体；将第一绝缘层沉积到减薄后的衬底的背面；将第二绝缘层涂覆到所述第一绝缘层上；对所述第二绝缘层依次进行曝光和显影，生成第二开口；对所述第一绝缘层进行刻蚀，生成第一开口；在所述第一开口和第二开口中形成凸块，即得到所述TSV背面露孔结构。以此方式，可以提高TSV背面露孔结构的制造效率。
主权项：1.一种TSV背面露孔结构，其特征在于，包括：第一导体1，所述第一导体1通过金属布线层2和对应的第二导体4电连接；所述第二导体4设置在衬底3对应的TSV孔中，且所述第二导体4通过SiO2和衬底3绝缘隔离；所述第二导体4分别通过第一绝缘层5的第一开口、第二绝缘层6的第二开口和对应的凸块7电连接；所述凸块7通过第一绝缘层5、第二绝缘层6和衬底3绝缘隔离；所述第一导体1和衬底3绝缘隔离；所述第一导体1和金属布线层2通过临时键合胶8粘黏在载体9上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 承勰科技(上海)有限公司 一种TSV背面露孔结构及制备方法
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