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申请/专利权人：应用材料股份有限公司
摘要：一种等离子体掺杂系统，包含：等离子体掺杂腔室；压板，安装在等离子体掺杂腔室中以用于支撑工件；可电离气体源，耦合到腔室，可电离气体含有用于注入到工件中的所要掺杂剂；等离子体源，用于在工件附近产生具有等离子体鞘的等离子体，等离子体含有可电离气体的正离子，且使所述正离子穿过等离子体鞘朝向压板加速以注入到工件中；屏蔽环，围绕压板且适于将等离子体鞘延伸超出工件的边缘；以及覆盖环，安置于屏蔽环的顶部上且适于减轻屏蔽环的溅射，其中覆盖环包括结晶基底层和非结晶顶部层。
主权项：1.一种等离子体掺杂系统，包括：等离子体掺杂腔室；压板，安装在所述等离子体掺杂腔室中以用于支撑工件；可电离气体源，耦合到所述等离子体掺杂腔室，可电离气体含有用于注入到所述工件中的所要掺杂剂；等离子体源，用于在所述工件附近产生具有等离子体鞘的等离子体，所述等离子体含有所述可电离气体的正离子，且使所述正离子穿过所述等离子体鞘朝向所述压板加速以注入到所述工件中；屏蔽环，围绕所述压板且适于将所述等离子体鞘延伸超出所述工件的边缘；以及覆盖环，安置于所述屏蔽环的顶部上且适于减轻所述屏蔽环的溅射。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料股份有限公司 减轻等离子体掺杂腔室中碳污染的覆盖环
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