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申请/专利权人:山东华芯半导体有限公司
摘要:本发明公开一种NANDFlash读DQS采样方法,本方法将DQS看作数据信号,使用与其频率相同的NANDFlashPHY时钟clk_phy实现读DQS的采样,节省了时钟资源,其中,clk_phy需要经过时钟管理单元MMCM进行相移,以达到最佳采样位置。本方法并介绍了读DQS相移控制逻辑及训练方法,该方法灵活快捷准确,并可随着NANDFlash型号及使用工况的不同选择最佳的读DQS采样位置,避免亚稳态的发生。
主权项:1.一种NANDFlash读DQS采样方法,其特征在于:本方法将DQS看作数据信号,使用与其频率相同的NANDFlashPHY时钟clk_phy实现读DQS的采样,其中,clk_phy需要经过时钟管理单元MMCM进行相移,以达到最佳采样位置;clk_phy进行相移的过程为:对clk_phy进行训练,在训练过程中,相移值shift_val从0一直增大到最大值,同时进行读操作,记录下每个shift_val值对应的dqs_underrun的值,dqs_underrun的值标志着读DQS在读过程中没有被clk_phy正确采样,这样会形成一个数据眼图,其中1表示眼图闭合,表示使用当前相移值,clk_phy上升沿无法采样到正确的读DQS,0表示眼图打开,表示使用当前相移值,clk_phy上升沿可以采样到正确的读DQS,将dqs_underrun为0时的shift_val中间值作为最终的clk_phy相移值,产生最终的读时钟clk_rd,即可准确的用clk_rd采样到读DQS;通过相移状态控制机进行clk_phy训练,相移状态控制机共有6种状态:空闲状态、复位状态、计算状态、请求相移状态、等待相移状态和响应状态,相移状态控制机默认为空闲状态,当接收到相移调节信号为1时,进入复位状态,若此时复位信号有效,则保持在复位状态,若无效则进入相移计算状态,相移计算状态的转移条件受两个信号控制:相移锁定信号和相移计数值,相移锁定信号为1表示计算状态能稳定输出,相移控制状态机将接收到的相移初始值shift_val赋值给相移计数值,在相移请求状态时对输入时钟clk_phy进行相移,相移值shift_val从0一直增大到最大值,等待相依状态等待相移完成,相移完成后进入响应状态,最后进入空闲状态;本方法的实施步骤为:S01)、读DQS进入IDDR,使用clk_rd进行采样,输出q0和q1,其中q0为在clk_phy上升沿采样的读DQS电平,标记为dqs_valid,q1为在clk_phy下降沿采样到的读DQS电平,本方法中仅使用到q0;S02)、定义dfi_dqs_underrun,它标志着读DQS在读过程中没有被clk_rd正确采样,判断条件为dqs_valid为0且PHY接收到的DFI接口读数据使能信号dfi_rddata_en为1;S03)、clk_phy经过时钟管理单元MMCM后产生读时钟clk_rd,并对clk_rd进行训练,使其产生相移;S04)、将DQS看作数据信号,使用与其频率相同的读时钟clk_rd实现读DQS的采样。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 山东华芯半导体有限公司 一种NAND Flash读DQS采样方法
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