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一种CCP和ICP结合的反应腔结构装置 

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申请/专利权人:上海邦芯半导体科技有限公司

摘要:一种CCP和ICP结合的反应腔结构装置,属于半导体刻蚀技术领域,利用CCP远程等离子体源远程产生和传输等离子体到反应腔,通过可调控的分支电路阻抗来实现使用一台射频信号发生器同时供应ICP反应腔和CCP远程等离子体源的能量供给;在CCP远程等离子体源内部引入LC共振回路,通过回路充放电过程来维系脉冲模式下电源周期性关闭状态时的等离子体。该装置能够实现在低功率模式下ICP反应腔的顺利点火,以及脉冲模式下等离子体的可靠维系。

主权项:1.一种CCP和ICP结合的等离子体反应腔装置,包括ICP反应腔,其特征在于,还包括:CCP远程等离子体源和等离子体传输系统;所述CCP远程等离子体源中设有CCP结构,用于产生等离子体,经所述等离子体传输系统进入ICP反应腔,引发ICP点火;所述ICP反应腔和CCP远程等离子体源均包含射频系统,两者的射频系统以并联的方式,连接于同一射频电源;所述射频电源根据ICP和CCP两条支路的阻抗比例向其分配输出功率;所述射频电源向两条支路分别分配的输出功率为:设ICP分支电路的输入功率为P_in_ICP,CCP分支电路的输入功率为P_in_CCP,电源总输出功率为P_out;在阻抗匹配情况下,功率根据阻抗比例分配:设ICP分支电路的阻抗为Z_ICP,CCP分支电路的阻抗为Z_CCP,则:ICP分支电路的实际输入功率:P_in_ICP=|Z_ICP|^2|Z_ICP|^2+|Z_CCP|^2*P_out;CCP分支电路的实际输入功率:P_in_CCP=|Z_CCP|^2|Z_ICP|^2+|Z_CCP|^2*P_out;其中,|Z_i|^2表示分支电路的阻抗模的平方。

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权利要求:

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