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申请/专利权人：无锡硅动力微电子股份有限公司
摘要：本发明涉及改善分段式电容型电荷再分配SARADC精度和线性度的结构。本发明包括比较器、逻辑控制模块、误差调整模块、电容阵列开关、悬空控制开关、桥接电容Cb以及通过桥接电容Cb相连的低段电容阵列和高段电容阵列；比较器用于比较高段电容阵列的电容上极板电压与基准电压VR；低段电容阵列的电容下极板通过电容阵列开关连接至待转换电压VIN、基准高端VRH和基准低端VRL；高段电容阵列的电容下极板依次通过悬空控制开关、电容阵列开关连接至待转换电压VIN、基准高端VRH和基准低端VRL；逻辑控制模块与比较器输出端相连；误差调整模块与逻辑控制模块相连。本发明能够降低桥接电容实际容值和理论目标容值的偏差造成的影响，可以达到更高的转换精度。
主权项：1.一种改善分段式电容型电荷再分配SARADC精度和线性度的结构，其特征在于，包括比较器、逻辑控制模块、误差调整模块、电容阵列开关、悬空控制开关、桥接电容Cb以及通过所述桥接电容Cb相连的低段电容阵列和高段电容阵列；所述高段电容阵列的电容上极板分别连接所述桥接电容Cb的上极板和所述比较器的正输入端，所述低段电容阵列的电容上极板连接所述桥接电容Cb的下极板，所述比较器用于比较所述高段电容阵列的电容上极板电压与基准电压VR；所述低段电容阵列的电容下极板通过所述电容阵列开关连接至待转换电压VIN、基准高端VRH和基准低端VRL；所述高段电容阵列的电容下极板依次通过所述悬空控制开关、所述电容阵列开关连接至待转换电压VIN、基准高端VRH和基准低端VRL；所述逻辑控制模块与所述比较器输出端相连，并根据所述比较器的输出结果控制所述电容阵列开关通断；所述误差调整模块与所述逻辑控制模块相连，并用于控制所述悬空控制开关通断，以在转换至低段电容阵列时使高段电容阵列断开一部分电容；所述低段电容阵列为n位，所述高段电容阵列为m位，所述低段电容阵列和所述高段电容阵列中的电容数量均保持二进制指数设计；所述高段电容阵列与所述比较器的正输入端之间连接有电容Cx；所述电容Cx的数量X与在进行转换至低段电容阵列时需要断开悬空的高段电容数量Y之间的关系满足：。
全文数据：
权利要求：
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