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申请/专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
摘要：本发明涉及半导体薄膜技术领域，尤其涉及一种在高质量外延Hf0.5Zr0.5O2单晶薄膜中稳定铁电相的方法。该方法包括步骤：步骤S1、对YSZ001单晶衬底进行预热处理；步骤S2、在预热处理后的YSZ001单晶衬底上采用脉冲激光沉积方法外延生长50nm‑150nm厚的薄膜；步骤S3、以20℃min‑30℃min的退火速率对所述薄膜进行快速退火处理，获得铁电相稳定的Hf0.5Zr0.5O2单晶薄膜。该方法制备获得的Hf0.5Zr0.5O2薄膜是单晶薄膜，具有沿[001]方向的极高外延性，Hf0.5Zr0.5O2薄膜衬底界面处为完全共格结构，无位错存在；基于界面工程，在Hf0.5Zr0.5O2薄膜内反相畴界处实现了新型铁电相的稳定。
主权项：1.一种在高质量外延Hf0.5Zr0.5O2单晶薄膜中稳定铁电相的方法，其特征在于，包括：步骤S1、对YSZ001单晶衬底进行预热处理；步骤S2、在预热处理后的YSZ001单晶衬底上采用脉冲激光沉积方法外延生长50nm-150nm厚的薄膜；步骤S3、以20℃min-30℃min的退火速率对所述薄膜进行快速退火处理，获得铁电相稳定的Hf0.5Zr0.5O2单晶薄膜。
全文数据：
权利要求：
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