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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明公开了一种高亮度LED及其制备方法，包括衬底，所述衬底上依次生长有缓冲层、轻掺杂和重掺杂氮化物交替层、MQW有源层、p型半导体层，所述轻掺杂和重掺杂氮化物交替层上表面的裸露部分设有n电极，所述p型半导体层上设有p电极；所述轻掺杂和重掺杂氮化物交替层为轻掺杂氮化物层和重掺杂氮化物层分别通过电化学腐蚀形成的交替堆叠的低孔洞率多孔氮化物层与高孔洞率多孔氮化物层。本发明所公开的高亮度LED及其制备方法在降低成本的同时，还能提高发光效率，可重复性高，利于实际应用。
主权项：1.一种高亮度LED的制备方法，高亮度LED包括衬底，其特征在于，所述衬底上依次生长有缓冲层、轻掺杂和重掺杂氮化物交替层、MQW有源层、p型半导体层，所述轻掺杂和重掺杂氮化物交替层上表面的裸露部分设有n电极，所述p型半导体层上设有p电极；所述轻掺杂和重掺杂氮化物交替层为轻掺杂氮化物层和重掺杂氮化物层分别通过电化学腐蚀形成的交替堆叠的低孔洞率多孔氮化物层与高孔洞率多孔氮化物层；制备方法包括如下步骤：1在衬底上表面依次生长缓冲层、轻掺杂和重掺杂氮化物交替层，在轻掺杂和重掺氮化物杂交替层上表面依次生长MQW有源层和p型半导体层；2通过光刻、干法刻蚀和清洗工艺形成LED图形，并裸漏出部分轻掺杂和重掺杂氮化物交替层；3采用选择性电化学腐蚀的方法对轻掺杂和重掺杂氮化物交替层进行腐蚀，分别形成交替堆叠的低孔洞率多孔氮化物层与高孔洞率多孔氮化物层，该结构为多孔导电反射结构；4在裸漏出的轻掺杂和重掺杂氮化物交替层上表面制备n电极，在p型半导体层上表面制备p电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种高亮度LED及其制备方法
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