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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明涉及一种具有垂直沟道区的CMOS图像传感器及一种CMOS图像传感器的形成方法。所述CMOS图像传感器中，光电二极管、传输晶体管以及浮置扩散区与像素电路中的另一些晶体管分别形成于两个键合单元中并垂向叠加，有助于减小像素的面积，提高集成度，所述光电二极管在相应键合单元中的设置空间充裕，像素的填充因子接近100％，可以兼顾动态范围以及尺寸微缩，从而提升CMOS图像传感器的性能。
主权项：1.一种具有垂直沟道区的CMOS图像传感器，其特征在于，包括相互键合的第一键合单元和第二键合单元；其中，所述第一键合单元包括第一衬底、形成于所述第一衬底上的栅氧化层、传输晶体管栅极以及第一互连结构，所述第一衬底包括衬底主体和位于所述衬底主体一侧的鳍片，所述衬底主体中形成有二极管掺杂区，所述二极管掺杂区与所述衬底主体构成用于生成感光电荷的光电二极管，所述传输晶体管栅极间隔所述栅氧化层位于所述鳍片侧面，与所述传输晶体管栅极间隔所述栅氧化层相对的部分所述鳍片构成垂直沟道区，所述垂直沟道区与所述二极管掺杂区连接，所述鳍片上部与所述垂直沟道区连接且构成用于存储所述感光电荷的浮置扩散区，所述第一互连结构分别连接所述传输晶体管栅极和所述浮置扩散区；所述第二键合单元包括基于第二衬底形成的多个晶体管以及与多个所述晶体管连接的第二互连结构，并且，通过所述第一键合单元和所述第二键合单元键合，所述第一互连结构和所述第二互连结构连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 具有垂直沟道区的CMOS图像传感器及形成方法
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