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申请/专利权人：江南大学

摘要：本发明公开了一种新型整流功率矫正拓扑结构的LED频闪驱动电源，涉及电子电力技术领域，该LED频闪驱动电源包括交流电源，交流电源依次连接EMI滤波电路、整流功率校正电路、RCD缓冲电路、反激电路、输出滤波电路和LED负载，整流功率校正电路和RCD缓冲电路之间还并联有源电容电路；其中整流功率校正电路采用了不同于二极管整流电路或者桥式整流电路的全新结构，本申请采用了全新的电源结构拓扑组合，能够提高电源的稳定性和可靠性，降低功耗和成本；另外本申请将有源电容添加在整流功率校正电路后、RCD缓冲电路前，可以大大减低整流功率校正电路末端的电容大小，来应对变压器一次侧的高频开关要求。

主权项：1.一种新型整流功率矫正拓扑结构的LED频闪驱动电源，其特征在于，所述LED频闪驱动电源包括交流电源，所述交流电源依次连接EMI滤波电路、整流功率校正电路、RCD缓冲电路、反激电路、输出滤波电路和LED负载，所述整流功率校正电路和所述RCD缓冲电路之间还并联有源电容电路；其中，所述整流功率校正电路包括串联的第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管和第二MOS管的栅极均悬空，所述第一MOS管的源极连接所述第二MOS管的漏极，所述第一MOS管的漏极连接第五电感，所述第五电感的另一端和所述第二MOS管的源极作为所述整流功率校正电路的输入端连接所述EMI滤波电路的输出端，所述第一MOS管的源极还分别连接第一二极管和第二二极管的阳极，所述第一二极管的阴极连接所述第一MOS管的漏极，所述第二二极管的阴极连接所述第二MOS管的源极；所述第一二极管的阴极依次连接第一充放电电路、第六电感、第七电容后连接所述第一二极管的阳极，所述第一充放电电路和所述第六电感的公共端连接第三二极管的阳极，所述第三二极管的阴极连接所述第一二极管的阳极，所述第七电容与所述第六电感相连的一端为正极端并作为所述整流功率校正电路的输出端，所述第七电容与所述第一二极管相连的一端为负极端并作为所述整流功率校正电路的另一输出端；所述第二二极管的阴极依次连接第二充放电电路和第七电感后连接所述第七电容的正极端，所述第二充放电电路和所述第七电感的公共端连接第四二极管的阳极，所述第四二极管的阴极连接所述第二二极管的阳极；所述第一充放电电路和所述第二充放电电路的电路结构相同，所述第一充放电电路包括第五二极管、第六二极管和第七二极管构成的串联电路，所述第五二极管的阳极作为所述串联电路的一端用于连接所述第六电感，所述第七二极管的阴极作为所述串联电路的另一端用于连接所述第一二极管，第三电容的一端连接所述第六二极管的阳极、另一端连接所述第七二极管的阴极，第四电容的一端连接所述第五二极管的阳极、另一端连接所述第六二极管的阴极；所述有源电容电路中包括有源电容，所述反激电路包括变压器和第五MOS管，所述变压器的一次侧的同名端连接所述RCD缓冲电路的正极端，所述第五MOS管的漏极连接所述变压器的一次侧的异名端，所述第五MOS管的源极连接所述RCD缓冲电路的负极端，所述第五MOS管的栅极悬空，所述变压器的二次侧连接所述输出滤波电路；所述有源电容电路包括所述有源电容，还包括第八电感、第三MOS管和第四MOS管，所述第三MOS管和所述第四MOS管的栅极均悬空，所述第四MOS管的漏极连接所述有源电容形成的串联电路与所述第三MOS管并联，形成的并联电路与所述第八电感串联，形成的串联电路并联在所述整流功率校正电路和所述RCD缓冲电路之间；所述第四MOS管的源极连接所述第三MOS管的漏极，所述第三MOS管的源极连接所述有源电容并连接所述第七电容的负极端，所述第八电感连接所述第七电容的正极端；所述EMI滤波电路包括第一互感、第二互感、第一电容、第三电感、第四电感、第一电阻、第二电阻和第二电容，所述第一互感的一次侧和二次侧的同名端分别连接所述交流电源的两端，所述第一互感的一次侧和二次侧的异名端分别连接所述第一电容的两端，所述第二互感在所述第一电容的后侧且所述第二互感的一次侧和二次侧的同名端分别连接所述第一电容的两端，所述第二互感的一次侧的异名端分别连接所述第三电感和所述第一电阻，所述第三电感和所述第一电阻的另一端相连并连接所述第二电容的一端，所述第三电感和所述第二电容的公共端作为所述EMI滤波电路的输出端用于连接所述第五电感，所述第二互感的二次侧的异名端连接所述第二电容的另一端，所述第二互感的二次侧的异名端还分别连接所述第四电感和所述第二电阻，所述第四电感和所述第二电阻的另一端相连并作为所述EMI滤波电路的输出端用于连接所述第二MOS管的源极；所述输出滤波电路包括第十二二极管、第十电容、第四电阻、第九互感和第六MOS管，所述第十二二极管的阳极连接所述变压器的二次侧的同名端，所述第十二二极管的阴极连接所述第十电容和所述第四电阻形成的并联电路，所述第十电容和所述第四电阻形成的并联电路的另一端连接所述变压器的二次侧的异名端，所述第九互感的一次侧和二次侧的同名端分别连接所述第四电阻的两端，所述第九互感的一次侧的异名端连接所述第六MOS管的漏极，所述第六MOS管的源极用于连接所述LED负载的阳极，所述第九互感的二次侧的异名端用于连接所述LED负载的阴极，所述第六MOS管的栅极悬空。

全文数据：一种新型整流功率矫正拓扑结构的LED频闪驱动电源技术领域本发明涉及电子电力技术领域，尤其是一种新型整流功率矫正拓扑结构的LED频闪驱动电源。背景技术现今，人工智能产业迅速发展，与之相关的机器视觉检测系统的应用也愈发多了起来，机器视觉检测系统对光源的质量的要求特别苛刻，否则图像识别系统不能正确识别像素分布和亮度等信息。光源的质量还要取决于驱动电源的稳定性和鲁棒性。在保证电源的可靠性之后，低功耗和低成本的特性也是工业产品所应该具备的优点。所以一种可靠性高、功耗较低和成本低的LED频闪光源是工业所需要的。传统的LED电源中整流部分采用的是二极管整流桥，其导通损耗大效率低只能升压的特点影响了整个电源的效率和质量。电源中一般为了维持输出电压的相对稳定，通常采用电容值较大的电容，这也造成了制造成本的增加，降低了企业采购的性价比。发明内容本发明人针对上述问题及技术需求，提出了一种新型整流功率矫正拓扑结构的LED频闪驱动电源，本发明的技术方案如下：一种新型整流功率矫正拓扑结构的LED频闪驱动电源，该LED频闪驱动电源包括交流电源，交流电源依次连接EMI滤波电路、整流功率校正电路、RCD缓冲电路、反激电路、输出滤波电路和LED负载，整流功率校正电路和RCD缓冲电路之间还并联有源电容电路；其中，整流功率校正电路包括串联的第一MOS管和第二MOS管，第一MOS管和第二MOS管的栅极均悬空，第一MOS管的源极连接第二MOS管的漏极，第一MOS管的漏极连接第五电感，第五电感的另一端和第二MOS管的源极作为整流功率校正电路的输入端连接EMI滤波电路的输出端，第一MOS管的源极还分别连接第一二极管和第二二极管的阳极，第一二极管的阴极连接第一MOS管的漏极，第二二极管的阴极连接第二MOS管的源极；第一二极管的阴极依次连接第一充放电电路、第六电感、第七电容后连接第一二极管的阳极，第一充放电电路和第六电感的公共端连接第三二极管的阳极，第三二极管的阴极连接第一二极管的阳极，第七电容与第六电感相连的一端为正极端并作为整流功率校正电路的输出端，第七电容与第一二极管相连的一端为负极端并作为整流功率校正电路的另一输出端；第二二极管的阴极依次连接第二充放电电路和第七电感后连接第七电容的正极端，第二充放电电路和第七电感的公共端连接第四二极管的阳极，第四二极管的阴极连接第二二极管的阳极；第一充放电电路和第二充放电电路的电路结构相同，第一充放电电路包括第五二极管、第六二极管和第七二极管构成的串联电路，第五二极管的阳极作为串联电路的一端用于连接第六电感，第七二极管的阴极作为串联电路的另一端用于连接第一二极管，第三电容的一端连接第六二极管的阳极、另一端连接第七二极管的阴极，第四电容的一端连接第五二极管的阳极、另一端连接第六二极管的阴极；有源电容电路中包括有源电容，反激电路包括变压器和第五MOS管，变压器的一次侧的同名端连接RCD缓冲电路的正极端，第五MOS管的漏极连接变压器的一次侧的异名端，第五MOS管的源极连接RCD缓冲电路的负极端，第五MOS管的栅极悬空，变压器的二次侧连接输出滤波电路。其进一步的技术方案为，有源电容电路包括有源电容，还包括第八电感、第三MOS管和第四MOS管，第三MOS管和第四MOS管的栅极均悬空，第四MOS管的漏极连接有源电容形成的串联电路与第三MOS管并联，形成的并联电路与第八电感串联，形成的串联电路并联在整流功率校正电路和RCD缓冲电路之间；第四MOS管的源极连接第三MOS管的漏极，第三MOS管的源极连接有源电容并连接第七电容的负极端，第八电感连接第七电容的正极端。其进一步的技术方案为，EMI滤波电路包括第一互感、第二互感、第一电容、第三电感、第四电感、第一电阻、第二电阻和第二电容，第一互感的一次侧和二次侧的同名端分别连接交流电源的两端，第一互感的一次侧和二次侧的异名端分别连接第一电容的两端，第二互感在第一电容的后侧且第二互感的一次侧和二次侧的同名端分别连接第一电容的两端，第二互感的一次侧的异名端分别连接第三电感和第一电阻，第三电感和第一电阻的另一端相连并连接第二电容的一端，第三电感和第二电容的公共端作为EMI滤波电路的输出端用于连接第五电感，第二互感的二次侧的异名端连接第二电容的另一端，第二互感的二次侧的异名端还分别连接第四电感和第二电阻，第四电感和第二电阻的另一端相连并作为EMI滤波电路的输出端用于连接第二MOS管的源极。其进一步的技术方案为，输出滤波电路包括第十二二极管、第十电容、第四电阻、第九互感和第六MOS管，第十二二极管的阳极连接变压器的二次侧的同名端，第十二二极管的阴极连接第十电容和第四电阻形成的并联电路，第十电容和第四电阻形成的并联电路的另一端连接变压器的二次侧的异名端，第九互感的一次侧和二次侧的同名端分别连接第四电阻的两端，第九互感的一次侧的异名端连接第六MOS管的漏极，第六MOS管的源极用于连接LED负载的阳极，第九互感的二次侧的异名端用于连接LED负载的阴极，第六MOS管的栅极悬空。其进一步的技术方案为，RCD缓冲电路包括第三电阻、第十一二极管和第九电容，第三电阻和第九电容并联，形成的并联电路的一端连接第七电容的正极端并作为RCD缓冲电路的正极端连接变压器的一次侧的同名端，第三电阻和第九电容形成的并联电路的另一端连接第十一二极管的阴极，第十一二极管的阳极连接第七电容的负极端并作为RCD缓冲电路的负极端连接第五MOS管的源极。本发明的有益技术效果是：本申请公开了一种新型整流功率矫正拓扑结构的LED频闪驱动电源，该LED频闪驱动电源将常规的二极管整流电路或者桥式整流电路变为全新结构的整流功率校正电路，采用了全新的电源结构拓扑组合，EMI滤波电路能在阻带范围内衰减射频能量，而让工频有很少衰减就能通过EMI滤波电路，整流功率校正电路将交流变成直流和负责功率因素的提高，反激电路将能量从一次则输送到二次侧，实现电源和负载的分离，输出滤波电路使得输出电源更加稳定，进一步降低纹波率，从而提高稳定性和可靠性，降低功耗和成本。另外常规做法将有源电容放置在负载前，本申请将有源电容添加在整流功率校正电路后、RCD缓冲电路前，有源电容大大减低整流功率校正电路末端的电容大小，来应对变压器一次侧的高频开关要求，有源电容电路可以有效减小电源末端电容值的大小，满足LED脉冲负载的严格要求。附图说明图1是本申请公开的LED频闪驱动电源的电路图。图2是本申请中的整流功率校正电路的工作波形图。图3是本申请中的输出滤波电路中的第十电容的工作波形图。具体实施方式下面结合附图对本发明的具体实施方式做进一步说明。本申请公开了一种新型整流功率矫正拓扑结构的LED频闪驱动电源，请参考图1，该LED频闪驱动电源包括交流电源V1，交流电源V1依次连接EMI滤波电路、整流功率校正电路、RCD缓冲电路、反激电路、输出滤波电路和LED负载D13，整流功率校正电路和RCD缓冲电路之间还并联有源电容电路。其中，EMI滤波电路包括第一互感L1、第二互感L2、第一电容C1、第三电感L3、第四电感L4、第一电阻R1、第二电阻R2和第二电容C2，第一互感L1的一次侧和二次侧的同名端分别连接交流电源V1的两端，第一互感L1的一次侧和二次侧的异名端分别连接第一电容C1的两端。第二互感L2在第一电容C1的后侧且第二互感L2的一次侧和二次侧的同名端分别连接第一电容C1的两端。第二互感L2的一次侧的异名端分别连接第三电感L3和第一电阻R1，第三电感L3和第一电阻R1的另一端相连并连接第二电容C2的一端，第三电感L3和第二电容C2的公共端作为EMI滤波电路的一个输出端，也即正极输出端。第二互感L2的二次侧的异名端连接第二电容C2的另一端，第二互感L2的二次侧的异名端还分别连接第四电感L4和第二电阻R2，第四电感L4和第二电阻R2的另一端相连并作为EMI滤波电路的另一个输出端，也即负极输出端。整流功率校正电路包括串联的第一MOS管Q1和第二MOS管Q2，第一MOS管Q1和第二MOS管Q2的栅极均悬空，第一MOS管Q1的源极连接第二MOS管Q2的漏极，第一MOS管Q1的漏极连接第五电感L5，第五电感的另一端作为整流功率校正电路的输入端连接EMI滤波电路的正极输出端，也即连接第三电感L3和第二电容C2的公共端。第二MOS管Q2的源极作为整流功率校正电路的另一个输入端连接EMI滤波电路的负极输出端，也即连接第四电感L4和第二电阻R2的不与第二互感L2相连的一端。第一MOS管Q1的源极还分别连接第一二极管D1和第二二极管D2的阳极，第一二极管D1的阴极连接第一MOS管Q1的漏极，第二二极管D2的阴极连接第二MOS管Q2的源极。第一二极管D1的阴极依次连接第一充放电电路、第六电感L6、第七电容后C7连接第一二极管D1的阳极，第一充放电电路和第六电感L6的公共端连接第三二极管D3的阳极，第三二极管D3的阴极连接第一二极管D1的阳极，第七电容C7与第六电感L6相连的一端为正极端并作为整流功率校正电路的输出端也即正极输出端，第七电容C7与第一二极管D1相连的一端为负极端并作为整流功率校正电路的另一输出端也即负极输出端。其中，第一充放电电路包括第五二极管D5、第六二极管D6和第七二极管D7构成的串联电路，第五二极管D5的阳极作为该串联电路的一端用于连接第六电感L6，第七二极管D7的阴极作为该串联电路的另一端用于连接第一二极管D1，第三电容C3的一端连接第六二极管D6的阳极、另一端连接第七二极管D7的阴极，第四电容C4的一端连接第五二极管D5的阳极、另一端连接第六二极管D6的阴极。第二二极管D2的阴极依次连接第二充放电电路和第七电感L7后连接第七电容C7的正极端，第二充放电电路和第七电感L7的公共端连接第四二极管D4的阳极，第四二极管D4的阴极连接第二二极管D2的阳极。第二充放电电路的电路结构和第一充放电电路的电路结构相同，第二充放电电路包括第八二极管D8、第九二极管D9和第十二极管D10构成的串联电路，第八二极管D8的阳极作为该串联电路的一端用于连接第七电感L7，第十二极管D10的阴极作为该串联电路的另一端用于连接第二二极管D2，第五电容C5的一端连接第九二极管D9的阳极、另一端连接第十二极管D10的阴极，第六电容C6的一端连接第八二极管D8的阳极、另一端连接第九二极管D9的阴极。有源电容电路中包括有源电容C8，还包括第八电感L8、第三MOS管Q3和第四MOS管Q4，第三MOS管Q3和第四MOS管Q4的栅极均悬空，第四MOS管Q4的漏极连接有源电容C8形成的串联电路与第三MOS管Q3并联，也即第四MOS管Q4的源极连接第三MOS管Q3的漏极，第三MOS管Q3的源极连接有源电容C8。有源电容C8、第四MOS管Q4和第三MOS管Q3形成的并联电路与第八电感L8串联，形成的串联电路并联在整流功率校正电路和RCD缓冲电路之间，第八电感L8的另一端连接第七电容C7的正极端，有源电容C8和第三MOS管Q3的公共端连接第七电容C7的负极端。RCD缓冲电路包括第三电阻R3、第十一二极管D11和第九电容C9，第三电阻R3和第九电容C9并联，形成的并联电路的一端连接第七电容C7的正极端并作为RCD缓冲电路的正极端。第三电阻R3和第九电容C9形成的并联电路的另一端连接第十一二极管D11的阴极，第十一二极管D11的阳极连接第七电容C7的负极端并作为RCD缓冲电路的负极端。反激电路包括变压器T1和第五MOS管Q5，变压器T1的一次侧的同名端连接RCD缓冲电路的正极端，因此也即连接第七电容C7的正极端。第五MOS管Q5的漏极连接变压器T1的一次侧的异名端，第五MOS管Q5的源极连接RCD缓冲电路的负极端，因此也即连接第七电容C7的负极端。第五MOS管Q5的栅极悬空，变压器T1的二次侧连接输出滤波电路。输出滤波电路包括第十二二极管D12、第十电容C10、第四电阻R4、第九互感L9和第六MOS管Q6，第十二二极管D12的阳极连接变压器T1的二次侧的同名端，第十二二极管D12的阴极连接第十电容C10和第四电阻R4形成的并联电路，第十电容C10和第四电阻R4形成的并联电路的另一端连接变压器T1的二次侧的异名端。第九互感L9的一次侧和二次侧的同名端分别连接第四电阻R4的两端，第九互感L9的一次侧的异名端连接第六MOS管Q6的漏极，第六MOS管Q6的源极用于连接LED负载D13的阳极，第九互感L9的二次侧的异名端用于连接LED负载D13的阴极，第六MOS管Q6的栅极悬空。注意的是输出滤波电路的接地线要与电源的接地线保持一致。上述各部分电路结构的工作方式如下：1、EMI滤波电路能在阻带范围内衰减射频能量，而让工频有很少衰减就能通过EMI滤波电路。2、整流功率校正电路将交流变成直流并负责功率因素的提高。由于整流功率校正电路上下对称，因此本申请以其上半边电路为例介绍其工作模式，请参考图2所示的工作波形：1模式一t0＜t＜t1：第一MOS管Q1导通，电路中存在二条回路：由EMI滤波电路过来的电源电压记为vin、第五电感L5、第一MOS管Q1和第二二极管D2构成回路1。由第六电感L6、第五二极管D5、第三电容C3、第四电容C4、第七二极管D7、第一MOS管Q1和第七电容C7构成回路2。在EMI滤波电路过来的电流的作用下，第五电感L5中的电流il5线性增加，第三电容C3和第四电容C4通过第一MOS管Q1给第六电感L6和第七电容C7充电第三电容C3和第四电容C4的电压相同并记为vc，第七电容C7两边电压记为v0，第六电感L6中的电流il6也线性增加，第三二极管D3关断，il5和il6分别为：则流过第一MOS管Q1的电流为：式中，it0为电感第五电感L5和第六电感L6的初始电流值。在t1时刻第一MOS管Q1关断，模式一结束，第五电感L5和第六电感L6中的电流值达到最大值。2模式二t1＜t＜t2：当第一MOS管Q1关断后，第五二极管D5和第七二极管D7反向截止，第三二极管D3导通为电流il5提供续流回路。由EMI滤波电路过来的电源、第三电容C3、第四电容C4、第三二极管D3、第二二极管D2、第六二极管D6构成一条回路，另一条回路是第六电感L6、第三二极管D3、第七电容C7。EMI滤波电路过来的电源和第五电感L5给第三电容C3和第四电容C4充电，第五电感L5中的电流线型减小。第六电感L6中的电流il6也线性减小。第三二极管D3中的电流在刚导通的时候达到最大：对于第五电感L5和第六电感L6中的电流值分别为：式中，iD3m为第三二极管D3电流最大值，T为第一MOS管Q1的工作周期，DQ1为第一MOS管Q1的导通占空比。其中第五电感L5工作在连续导通的模式，第六电感L6工作在断续导通模式。il6降为零后并反向增加，直到t2时刻il5+il6＝0后不再增加，此时iD3减小为零，实现零电流关断。3模式三t2＜t＜t3：t2时刻后il5＝-il6并在ΔT时间内保持恒定，直到下一个周期到来。3、有源电容电路：在第七电容C7的瞬时功率大于平均功率时，打开第四MOS管Q4，对有源电容C8进行充电。当第七电容C7的瞬时功率小于平均功率时，有源电容C8放电来维持第七电容C7的稳定电压。有源电容C8在整流功率校正电路之后、RCD缓冲电路前，因此可以有效减小电容值的大小。4、RCD缓冲电路可以将第三MOS管Q3漏级上的电压钳位在安全电平上。5、反激电路将能量从一次则输送到二次侧，实现电源和负载的分离。输出滤波电路使得输出电源更加稳定，进一步降低纹波率。当第五MOS管Q5导通时，变压器T1一次侧聚集磁场能量，第十电容C10将能量传输给电阻R4或者LED负载D13。当第五MOS管Q5关闭时，变压器T1将一次侧的磁场能量传输到二次侧，给第十电容C10充能。这样保持第十电容C10平均电压保持不变。如图3为第十电容C10的电压变化，V0为第十电容C10的平均电压。通过对第六MOS管Q6的开通和关断来实现脉冲功率的输出。以上所述的仅是本申请的优选实施方式，本发明不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本发明的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本发明的保护范围之内。

权利要求：1.一种新型整流功率矫正拓扑结构的LED频闪驱动电源，其特征在于，所述LED频闪驱动电源包括交流电源，所述交流电源依次连接EMI滤波电路、整流功率校正电路、RCD缓冲电路、反激电路、输出滤波电路和LED负载，所述整流功率校正电路和所述RCD缓冲电路之间还并联有源电容电路；其中，所述整流功率校正电路包括串联的第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管和第二MOS管的栅极均悬空，所述第一MOS管的源极连接所述第二MOS管的漏极，所述第一MOS管的漏极连接第五电感，所述第五电感的另一端和所述第二MOS管的源极作为所述整流功率校正电路的输入端连接所述EMI滤波电路的输出端，所述第一MOS管的源极还分别连接第一二极管和第二二极管的阳极，所述第一二极管的阴极连接所述第一MOS管的漏极，所述第二二极管的阴极连接所述第二MOS管的源极；所述第一二极管的阴极依次连接第一充放电电路、第六电感、第七电容后连接所述第一二极管的阳极，所述第一充放电电路和所述第六电感的公共端连接第三二极管的阳极，所述第三二极管的阴极连接所述第一二极管的阳极，所述第七电容与所述第六电感相连的一端为正极端并作为所述整流功率校正电路的输出端，所述第七电容与所述第一二极管相连的一端为负极端并作为所述整流功率校正电路的另一输出端；所述第二二极管的阴极依次连接第二充放电电路和第七电感后连接所述第七电容的正极端，所述第二充放电电路和所述第七电感的公共端连接第四二极管的阳极，所述第四二极管的阴极连接所述第二二极管的阳极；所述第一充放电电路和所述第二充放电电路的电路结构相同，所述第一充放电电路包括第五二极管、第六二极管和第七二极管构成的串联电路，所述第五二极管的阳极作为所述串联电路的一端用于连接所述第六电感，所述第七二极管的阴极作为所述串联电路的另一端用于连接所述第一二极管，第三电容的一端连接所述第六二极管的阳极、另一端连接所述第七二极管的阴极，第四电容的一端连接所述第五二极管的阳极、另一端连接所述第六二极管的阴极；所述有源电容电路中包括有源电容，所述反激电路包括变压器和第五MOS管，所述变压器的一次侧的同名端连接所述RCD缓冲电路的正极端，所述第五MOS管的漏极连接所述变压器的一次侧的异名端，所述第五MOS管的源极连接所述RCD缓冲电路的负极端，所述第五MOS管的栅极悬空，所述变压器的二次侧连接所述输出滤波电路。2.根据权利要求1所述的LED频闪驱动电源，其特征在于，所述有源电容电路包括所述有源电容，还包括第八电感、第三MOS管和第四MOS管，所述第三MOS管和所述第四MOS管的栅极均悬空，所述第四MOS管的漏极连接所述有源电容形成的串联电路与所述第三MOS管并联，形成的并联电路与所述第八电感串联，形成的串联电路并联在所述整流功率校正电路和所述RCD缓冲电路之间；所述第四MOS管的源极连接所述第三MOS管的漏极，所述第三MOS管的源极连接所述有源电容并连接所述第七电容的负极端，所述第八电感连接所述第七电容的正极端。3.根据权利要求1或2所述的LED频闪驱动电源，其特征在于，所述EMI滤波电路包括第一互感、第二互感、第一电容、第三电感、第四电感、第一电阻、第二电阻和第二电容，所述第一互感的一次侧和二次侧的同名端分别连接所述交流电源的两端，所述第一互感的一次侧和二次侧的异名端分别连接所述第一电容的两端，所述第二互感在所述第一电容的后侧且所述第二互感的一次侧和二次侧的同名端分别连接所述第一电容的两端，所述第二互感的一次侧的异名端分别连接所述第三电感和所述第一电阻，所述第三电感和所述第一电阻的另一端相连并连接所述第二电容的一端，所述第三电感和所述第二电容的公共端作为所述EMI滤波电路的输出端用于连接所述第五电感，所述第二互感的二次侧的异名端连接所述第二电容的另一端，所述第二互感的二次侧的异名端还分别连接所述第四电感和所述第二电阻，所述第四电感和所述第二电阻的另一端相连并作为所述EMI滤波电路的输出端用于连接所述第二MOS管的源极。4.根据权利要求1或2所述的LED频闪驱动电源，其特征在于，所述输出滤波电路包括第十二二极管、第十电容、第四电阻、第九互感和第六MOS管，所述第十二二极管的阳极连接所述变压器的二次侧的同名端，所述第十二二极管的阴极连接所述第十电容和所述第四电阻形成的并联电路，所述第十电容和所述第四电阻形成的并联电路的另一端连接所述变压器的二次侧的异名端，所述第九互感的一次侧和二次侧的同名端分别连接所述第四电阻的两端，所述第九互感的一次侧的异名端连接所述第六MOS管的漏极，所述第六MOS管的源极用于连接所述LED负载的阳极，所述第九互感的二次侧的异名端用于连接所述LED负载的阴极，所述第六MOS管的栅极悬空。5.根据权利要求1或2所述的LED频闪驱动电源，其特征在于，所述RCD缓冲电路包括第三电阻、第十一二极管和第九电容，所述第三电阻和所述第九电容并联，形成的并联电路的一端连接所述第七电容的正极端并作为所述RCD缓冲电路的正极端连接所述变压器的一次侧的同名端，所述第三电阻和所述第九电容形成的并联电路的另一端连接所述第十一二极管的阴极，所述第十一二极管的阳极连接所述第七电容的负极端并作为所述RCD缓冲电路的负极端连接所述第五MOS管的源极。

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