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申请/专利权人：浙江精一新材料科技有限公司

摘要：本发明公开了一种透明导电膜及其制备方法和光传输控制装置及其制备方法。该透明导电膜包括：透明基底和铜‑还原氧化石墨烯‑核壳纳米线膜；铜‑还原氧化石墨烯‑核壳纳米线膜沉积在透明基底上。该光传输控制装置包括：第一透明导电膜、第二透明导电膜以及填充在第一透明导电膜和第二透明导电膜之间的聚合物基质层；第一透明导电膜和或第二透明导电膜是如上述的透明导电膜，聚合物基质层填充在两层铜‑还原氧化石墨烯‑核壳纳米线膜之间。本发明中的透明导电膜具有良好的透光率和导电性，同时保证透明导电膜的柔性，且成本低，将该透明导电膜应用到光控制装置中后，该装置的开关切换具有良好的稳定性和可逆性。

主权项：1.一种光传输控制装置，其特征在于，所述装置包括：第一透明导电膜、第二透明导电膜以及填充在所述第一透明导电膜和所述第二透明导电膜之间的聚合物基质层；所述第一透明导电膜和或所述第二透明导电膜包括：透明基底和铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜；所述铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜沉积在所述透明基底上；所述透明基底为玻璃或者聚合物；所述铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜的厚度是50纳米至250纳米；所述铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜的透光率是75％-95％；所述铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜的方阻是10欧姆至100欧姆；将铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜转移至透明基底上，将透明基底上的铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜还原成铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜，透明基底和铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜组成透明导电膜，所述聚合物基质层填充在所述第一透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜和所述第二透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜之间；所述第一透明导电膜、所述第二透明导电膜和所述聚合物基质层之间接入交流电；所述聚合物基质层包括聚合物基体材料和多个悬浮颗粒，每个所述悬浮颗粒包括悬浮介质和多个光偏振粒子，多个光偏振粒子在交流电电场的作用下重新取向；所述悬浮颗粒的悬浮介质材料不同于聚合物基体材料，且所述悬浮颗粒在聚合物基体材料中以液态或凝胶形式悬浮；每个所述光偏振粒子的长度是100纳米至500纳米，直径是20纳米至100纳米，所述聚合物基质层的厚度为20微米至250微米。

全文数据：透明导电膜及其制备方法和光传输控制装置及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及薄膜技术领域，特别涉及一种透明导电膜及其制备方法和光传输彳空制装置及其制备方法。背景技术[0002]透明导电膜TCF是一种在光学上允许光子通过或传输（即透明），同时在电学上允许电子通过或传输（即导电）的薄膜。因此，透光率和电导率作为透明导电膜的两个技术特征，并且对于诸多光电器件来说，光子和电子的传导都是十分重要的，如显示器液晶显示器LCD、无机发光二极管LEDs和有机发光二极管OLEDs、光伏器件、触摸屏和电致变色玻璃等。在这些器件当中，TCF作为电极，当光电子元件被电子或光子激发，激发出的光子通过电极被注入和导出。[0003]在一些应用当中，电子被注入到器件的活性成分中，活性成分将电子能量转换成光子，然后通过透明电极发射出光，例如LED和0LED器件。在一些其他应用当中，光子通过透明电极注入到器件活性成分中，并且激发活性成分将光子转换成电荷，电荷由装置中的电极如光伏器件和光电传感器收集。另外，还有一些应用，通过向两个电极之间施加电压并产生电磁场，夹心部位的活性组分会发生化学反应。鉴于透明导电膜的广泛应用，对其的要求不仅仅是透光率和导电性良好，其柔性、稳定性和成本都要满足要求。但是，现有技术中的透明导电膜不能同时满足上述的要求。发明内容[0004]鉴于上述问题，提出了本发明的一种透明导电膜及其制备方法和光传输控制装置及其制备方法，以便同时满足上述要求。[0005]根据本发明的一个方面，提供了一种透明导电膜，所述透明导电膜包括:透明基底和铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜；[0006]所述铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜沉积在所述透明基底上。[0007]可选地，所述透明基底为玻璃或者聚合物。[0008]可选地，所述铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜的厚度是50纳米至250纳米。[0009]可选地，所述铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜的透光率是75%-95%。[0010]可选地，所述铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜的方阻是10欧姆至100欧姆。[0011]可选地，一种光传输控制装置，所述装置包括:第一透明导电膜、第二透明导电膜以及填充在所述第一透明导电膜和所述第二透明导电膜之间的聚合物基质层；[0012]所述第一透明导电膜和或所述第二透明导电膜是如前所述的透明导电膜，所述聚合物基质层填充在所述第一透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜和所述第二透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜之间。[0013]可选地，所述聚合物基质层包括聚合物基体材料和多个悬浮颗粒，每个所述悬浮颗粒包括悬浮介质和多个光偏振粒子；[0014]所述悬浮颗粒的悬浮介质材料不同于聚合物基体材料，且所述悬浮颗粒在聚合物基体材料中以液态或凝胶形式悬浮。[0015]可选地，所述聚合物基体材料是交联聚硅氧烷或丙烯酸酯;若所述聚合物基体材料是丙烯酸酯，所述悬浮颗粒的悬浮介质材料是硅油或者三苯三酸异十三醇酯；[0016]所述悬浮颗粒的光偏振粒子是多卤化物，或二氧化钛，或碘硫酸奎宁。[0017]可选地，每个所述光偏振粒子的长度是100纳米至500纳米，直径是2〇纳米至100纳米。[0018]可选地，所述聚合物基质层的厚度为20微米至250微米。[0019]根据本发明的又一个方面，提供了一种透明导电膜的制备方法，所述方法包括：[0020]制备所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜；[0021]将所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜转移至透明基底上，将所述透明基底上的所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜还原成铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜，所述透明基底和所述铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜组成透明导电膜。[0022]可选地，所述制备所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜包括：[0023]搅拌氧化石墨烯和铜纳米线的异丙醇悬浮液的混合物，获得铜-氧化石墨烯-核壳纳米线的分散液；[0024]真空过滤所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线的分散液，获得所述铜氧化石墨烯核壳纳米膜。[0025]可选地，所述将所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜转移至透明基底上还包括：[0026]对所述透明基底上的所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜施加预设压力值，并持续第一预设时间。[0027]可选地，所述将所述透明基底上的所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜还原成铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜包括：[0028]将所述透明基底以及所述透明基底上的所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜置于还原气氛中，在预设温度下进行热退火；[0029]或者，[0030]将所述透明基底以及所述透明基底上的所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜暴露在还原性环境中；经过第二预设时间后，将所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜置于还原气氛中，在预设温度下进行热退火。[0031]根据本发明的再一个方面，提供了一种光传输控制装置的制备方法，所述方法包括：[0032]采用如前所述的方法制备第一透明导电膜和第二透明导电膜；[0033]在制备的所述第一透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜和所述第二透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯—核壳纳米线膜之间填充聚合物基质，形成聚合物基质层；[0034]所述第一透明导电膜、所述第二透明导电膜和所述聚合物基质组成所述光传输控制装置。[0035]可选地，所述透明基底为玻璃；[0036]所述在制备的所述第一透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜和所述第二透明导电膜的锏-迚原氧化石墨烯-核壳纳米线膜之间填充聚合物基质，形成聚合物基质层包括：[0037]在所述第一透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜上，利用间隔垫圈围成预设填充空间；[0038]将所述聚合物基质填充到由间隔塾圈围成的预设填充空间中；[0039]使用所述第二透明导电膜覆盖在填充好的所述聚合物基质上；[0040]将所述第一透明导电膜、第二透明导电膜连同填充好的聚合物基质进行紫外线光固化，形成所述聚合物基质层。[0041]可选地，所述透明基底为聚合物；[0042]所述在制备的所述第一透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜和所述第二透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜之间填充聚合物基质，形成聚合物基质层包括：[0043]将所述聚合物基质刮涂在所述第一透明导电膜上；[0044]将所述第一透明导电膜上的聚合物基质进行紫外线光固化，形成所述聚合物基质层；[0045]使用所述第二透明导电膜覆盖在在所述聚合物基质层上。[0046]综上所述，本发明的技术方案的有益效果是:提供一种透明导电膜，该透明导电膜具有良好的透光率和导电性，同时透明基底和铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜均是柔性材料，保证了透明导电膜的柔性，且成本低，将该透明导电膜应用到光控制装置中后，该装置的开关切换具有良好的稳定性和可逆性。附图说明[0047]图1为本发明一个实施例提供的一种光传输控制装置的结构示意图；[0048]图2为本发明一个实施例提供的一种透明导电膜的制备方法的流程示意图；[0049]图3为本发明一个实施例提供的一种光传输控制装置的制备方法的流程示意图；[00S0]图4为本发明一个实施例提供的铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜的透射电子显微镜图像；[0051]图5为本发明一个实施例提供的不同热退火温度下制备的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜的透光率和方阻的示意图；[0052]图6为本发明一个实施例提供的不同厚度下的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜的透光率的示意图；[0053]图7为本发明一个实施例提供的光控制装置在施加110V电压之前和之后的透射光谱图；[0054]图8为本发明一个实施例提供的光控制装置在开关电压循坏下的透光率。具体实施方式[0055]透明导电膜通常是作为透明电极使用。虽然氧化铟锡（IT0长期以来一直是透明导电膜的工业标准，但仍然存在一些问题：IT0相对昂贵，且脆性与柔性基材不匹配。此外，铟资源的短缺使其实际应用受到限制。[0056]另外，市场越来越多地需求应用有透明电极的光传输控制装置，也称为光阀LV，例如智能窗户，以取代传统的窗帘或百叶窗，以实现舒适的生活和节能目的。因此为了能使得光传输控制装置的大面积应用，还需要将透明电极的成本考虑在内，不能因透明电极的高成本正在成为其大面积应用的经济障碍。[0057]考虑到，在器件的两电极间生成一电场，电流不需要从一个电极流过另一个电极，这就使得透明导电膜TCF可以具有更高的透光率，且不需要高的导电性。因此，相对较低电导率的TCF就具有更好的经济潜力，因此，铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线成为本发明的选择对象。为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。[0058]本发明提供了一种透明导电膜，透明导电膜包括:透明基底和铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜;铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线Cu-rGO-csNW膜沉积在透明基底上。[0059]在本发明的一个实施例中，上述的透明基底为玻璃或者聚合物，包括但是不局限于：聚对苯二甲酸乙二醇酯PET，聚乙烯PE，聚萘二甲酸乙二醇酯pen，聚甲基丙烯酸甲酯PMMA和聚碳酸酯PC。[0060]在本发明的一个实施例中，上述的透明基底的透光率应该等于或者大于80%.更加优选地，其透光率应该大于或等于90%。’[0061]为保证透明导电膜具有良好的透光率和导电性，在本发明的一个实施例中，上述的Cu-rGO-csNW膜的厚度是50纳米至250纳米。’[0062]在本发明的一个实施例中，上述的Cu-rGO-csNW膜的透光率是75%-95%。[0063]在本发明的一个实施例中，Cu_rG〇_csNff膜的方阻是1〇欧姆至1〇〇欧姆。。[00M]本发明还提供了一种光传输控制装置，上述的透明导电膜可以应用在该光传输控制装置。该光传输控制装置包括:第一透明导电膜、第二透明导电膜以及填充在第一透明导电膜和第一透明导电膜之间的聚合物基质层;第一透明导电膜和或第二透明导电膜是上述任思I头施例中的透明导电膜，聚合物基质层填充在第一透明导电膜的铜—还原氧化石墨烯_核壳纳米线膜和第二透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯_核壳纳米线膜之间〃_5]鉢发_-个实脑巾，上_聚合物細层健聚合讎体个颗粒，每个悬浮颗粒包括悬浮介质和多个光偏振粒子。…介耐料不同于聚合物基体材料，且悬浮颗粒在聚合物基体材料[0067]飢为本发明-个实施例提供的—种光传输控制装置的结构示该光传输控制装置包括:第-透明基底100、第一铜_还原氧化石墨炼_核膜^合物基质层300、第二铜-还原氧化石墨稀-核壳纳米线膜彻、第二透明基底内铜g石墨炼-t続纳米_2_第三铜—还藏化石_—核壳纳米難伽f咐H[0068]聚合物基质层300包括聚合物基体材料310和多个皋淳颗鈴切〇括悬浮介质321够个光偏振粒子322，钟光偏振粒子粒包是为了简化加工做成鑛终装置的匹配性，优选为相同的材^材仰不问的材料制成，但[割在本实施例中，第-Cu—rGQ—esN_2_第二Gun膜伽均是cmcsNW膜，这样可以在聚合物基质层300的两侧具有相似的光学性能，可以以对称的方式控制光，最终有助于降低光传输控制装置的雾度。[0071]在本实施例中，上述的聚合物基质层应该是具有较好的透光性的塑性材料，优选地，该聚合物基材可以通过光固化形成，因此可以严格地控制该层的收缩。在本发明的一个实施例中，聚合物基体材料是由烯属不饱和物与液体硅氧烷共聚物形成的交联聚硅氧烷或丙烯酸酯。[0072]进一步地，因为悬浮颗粒的悬浮介质材料不同于聚合物基体材料，如果聚合物基体材料是丙烯酸酯，则悬浮颗粒的悬浮介质材料可以选择硅油或者三苯三酸异十三醇酯。[0073]在本发明的一个实施例中，悬浮颗粒的光偏振粒子是多卤化物、二氧化钛和碘硫酸奎宁中的一种。[0074]进一步地，如上文说明，每个光偏振粒子在电厂的作用下可以重新取向，那么光偏振粒子的集合尺寸应该进行合理的选择，在本发明的一个实施例中，每个光偏振粒子的长度是100纳米至500纳米，直径是20纳米至100纳米。[0075]优选地，每个光偏振粒子的长度是150nm-300nm之间，直径应在30nm-60nm之间。[0076]因为光传输控制装置的透光率与聚合物基质层的厚度有关，所以，在本发明的一个实施例中，聚合物基质层的厚度为20微米至25〇微米，以满足光传输控制装置的透光率的要求。[0077]在本发明的一个实施例中，聚合物基质层中还可加入其它添加剂，例如，加入稳定剂和或乳化剂。[0078]本发明提供的透明导电膜的透光率可以高达95%，方阻约为l〇〇〇QSq。所以，本发明还提供了一种透明导电膜的制备方法，通过本方法制备的透明导电膜可以达到上述效果。图2为本发明一个实施例提供的一种透明导电膜的制备方法的流程示意图。如图2所示，该方法包括：[0079]步骤S210,制备铜-氧化石墨烯-核壳纳米线Cu-G〇-csNW膜。[0080]步骤S210,将铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜转移至透明基底上，将透明基底上的铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜还原成铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜，透明基底和铜-还原氧化石墨炼-核壳纳米线膜组成透明导电III。[0081]在本实施例中，具体可以通过印刷、喷涂、刮涂、滴涂及其它涂覆方式，将铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜转移至透明基底上。还可以改变Cu-GO-csNW的浓度和体积，可以获得不同厚度及透光率的薄膜。[0082]在本发明的一个实施例中，上述的步骤SMO中的制备铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜包括：[0083]步骤S211，搅拌氧化石墨烯和铜纳米线的异丙醇悬浮液的混合物，获得铜-氧化石墨烯-核壳纳米线的分散液。[0084]在本实施例中，可以通过调节铜纳米线和氧化石墨烯的表面配比以及化学成分，改变其浓度，进而达到优化铜纳米线和石墨烯厚度的比例的目的，最终获得电学和光学性能良好的复合纳米线以及薄膜。[0085]步骤S212，真空过滤铜-氧化石墨烯-核壳纳米线的分散液，获得铜氧化石墨烯核壳纳米膜。[0086]在本发明的一个实施例中，步骤S220中的将铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜转移至透明基底上还包括:对透明基底上的铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜施加预设压力值，并持续第一预设时间。[0087]例如，预设压力值是3Kg的重量，第一预设时间是6小时。但是这仅仅是作为一个具体例子，本实施例中的预设压力值、第一预设时间可以根据需求进行设定，在这里不做具体限定。[0088]在本发明的一个实施例中，步骤S220中的将透明基底上的铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜还原成铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜包括:一步还原法或者两步还原法。[0089]1—步还原法:将透明基底以及透明基底上的铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜置于还原气氛中，在预设温度下进行热退火。[0090]在这里，还原气氛可以是氩气:氢气Ar:H2或氮气：氢N2:H2。预设温度是200°C至|J400°C。[0091]2两步还原法:将透明基底以及透明基底上的铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜暴露在还原性环境中；经过第二预设时间后，将铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜置于还原气氛中，在预设温度下进行热退火。[0092]在这里，还原性环境与还原气氛不同，还原性环境可以是液体环境，也可以是气体环境，例如，肼蒸气或浸泡在硼氢化钠和抗坏血酸溶液;而还原气氛是氢气Ar:H2或氮气：氢Ns:H：〇。同样的，在这里预设温度是2〇TC到400°C。[0093]在上述的一步还原法或者两步还原法中，热退火步骤提升了膜的还原程度，更重要的是将纳米线NWs结点烧结在一起，使得网络结构连接更加紧密。考虑到纳米尺度下的材料熔点将大幅降低，过高的退火温度将破坏纳米线。然而，温度过低又不易形成NWs结点以及还原石墨烯。因此，退火温度需要慎重选择，优选的范围是200至4〇〇。：，最佳的温度为240至300°C。[0094]图3为本发明一个实施例提供的一种光传输控制装置的制备方法的流程示意图。如图3所示，该方法包括：[0095]步骤S310，采用如图2任一实施例中的方法制备第一透明导电膜和第二透明导电膜；[00%]步骤S320,在制备的第一透明导电膜的铜—还原氧化石墨烯_核壳纳米线膜和第二透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜之间填充聚合物基质，形成聚合物基质层；'[0097]步骤S330,第一透明导电膜、第二透明导电膜和聚合物基质组成光传输控制装置。[0098]在制备过程中，制备工艺会根据第一透明导电膜和第二透明导电膜中的透明基底的不同而不同。'[00"]在本发明的一个实施例中，如果上述的第一透明导电膜和第二透明导电膜中的透明基底为玻璃。[0100]一那么，步骤S320中的在制备的第一透明导电膜的铜—还原氧化石墨烯—核壳纳米线膜和第二删导幅關-还臟化石雖-核壳纳米猶之醜絲合讎质，形成聚合物基质层健:錄-删神翻湖-还職化石雖-核壳纳米_上，糊剛塾圈围成预设填充；£间；将聚合物基质填充到由间隔塾圈围成的预设填充空间中；使用第二透明导电膜覆盖在填充好的聚合物基质上;将第一透明导电膜、第二透明导电膜连同填充好的聚合物基质进行紫外线光固化，形成聚合物基质层。[0101]在本发明的一个实施例中，如果上述的第一透明导电膜和第二透明导电膜中的透明基底为聚合物。[0102]则步骤S320中的在制备的第一透明导电膜的铜—还原氧化石墨煤—核壳纳米线膜和第二透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜之间填充聚合物基质，形成聚合物基质层包括:将聚合物基质刮涂在第一透明导电膜上;将第一透明导电膜上的聚合物基质进行紫外线光固化，形成聚合物基质层;使用第二透明导电膜覆盖在在聚合物基质层上。[0103]上述的进行紫外线光固化即是将第一透明导电膜上的聚合物基质进行置于紫外线光下辐射。[0104]下面通过若干具体的例子对本发明的技术方法进行进一步说明。[0105]例一：[0106]通过搅拌将石墨烯G0水溶液浓度为〇•5毫克毫升，体积是2毫升和铜纳米线Cu-NW的异丙醇（IPA悬浮液混合，制备Cu-G〇-csNW纳米材料。然后将混合物通过离心洗涤8000RMP，5minW欠，除去残留的G0。在这里，可通过调整和优化Cu—爾直径与G0厚度的比率，平衡核壳型复合NW和薄膜的光学性能与电学性能。使用透射电子显微镜TEM对合成的Cu-G〇-csNW形态进行了表征，图4为本发明一个实施例提供的铜-氧化石墨烯—核壳纳米线膜的透射电子显微镜图像。如图4所示，该合成的Cu-GO-csNW的平均长度是4〇±l〇um，直径分别20±5nm，G0壳的厚度约为5nm。[0107]然后，通过聚四氟乙烯多孔滤膜对含有Cu-G〇-cs丽结构的分散液进行真空过滤，得到Cu-GO-csNW膜。将得到的Cu-GO-csNW膜转移到玻璃基底，通过对Cu-GO-csNW膜施加均匀的压力（3kg重量），并持续6小时后。将制备的Cu-GO-csNW膜暴露于含有95%体积的氩气Ar和5%体积的氢气¾的混合气氛中，在240°C的温度下退火2小时（为进行对比，还有一部分Cu-GO-csNW膜在260°C的温度下退火2小时）。热退火不仅可以提高薄膜的还原程度，而且更重要的是可以将NW烧结在一起，形成紧密的接触点。通过还原后，Cu-G0_csNff膜即转变为Cu-rG〇-csNW膜。Cu-rGO-csNW膜的透过率和电导率分别通过紫外-可见-近红外分光光度计和四探针表征，图5为本发明一个实施例提供的不同热退火温度下制备的铜—还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜的透光率和方阻的示意图。如图5所示，当退火温度为240。：时，Cu-rGO-csNW膜的透光率为92.7%，表面方阻为86•5Qsq;260°C时，Cu-rGO-csNW膜的透光率约为91•5%，表面方阻为101Qsq。[0108]例二：[0109]因为可以改变CU"G〇-csNW的浓度和体积，可以获得不同厚度及透光率的薄膜。[0110]按照上述例一描述的方法，改变真空过滤中的悬浮液的体积来获得具有不同厚度的Cu-rG〇-csNW膜。图6为本发明一个实施例提供的不同厚度下的铜-还原氧化石墨烯—核壳纳米线膜的透光率的不意图。如图6所示，1-5分别表示不同的厚度，厚度大小关系是12345，从图中可以发现，随着厚度的增加，膜在550nmS长处的透光率逐渐从92•7%降低到72_5%。[0111]例三：[0112]在该实施例中，使用例一或例二中制备的Cu-rGO-csNW膜，使用粘合剂间隔法组装一个2cmX2cm的光传输控制装置。其中，透明基底、Cu-rGO-csNff膜、聚合物基质层、Cu—rG0—csNW膜和透明基底分别为玻璃、Cu-rGO-csNW膜例二中制备的透过率90%，方阻70Qsq、含有悬浮的多卤化物的透明基质层、Cu-rGO-csNff膜例二中制备的透过率90%，方阻70Qsq和玻璃。[0113]在110V电压（关闭状态之前和之后（导通状态下检测制备的光传输控制装置透射光谱。图7为本发明一个实施例提供的光控制装置在施加110V电压之前和之后的透射光谱图。如图7所不，光传输控制装置在756nm波长附近获得最大光学调制为49.6%，这已经可以应用到实际生活中。图8为本发明一个实施例提供的光控制装置在开关电压循坏下的透光率。如图8所示，该装置在高和低透过率之间的可逆切换，开和关的切换时间分别为2〇3和40s，可逆切换一百次以上结果显示没有显著的变化。这表示通过本发明的技术方案制备的光传输控制装置的开关切换过程的具有良好的可逆性。[0114]例四：[0115]使用与例三种相同的条件，但使用的：11-冗0-^丽膜的透过率降低至80%。制备的光传输控制装置的最大光学调制减少到39.1%。[0116]综上所述，本发明的技术方案的有益效果是:提供一种透明导电膜，该透明导电膜具有良好的透光率和导电性，同时透明基底和铜_还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜均是柔性材料，保证了透明导电膜的柔性，且成本低，将该透明导电膜应用到光控制装置中后，该装置的开关切换具有良好的稳定性和可逆性。[0117]以上所述，仅为本发明的具体实施方式，在本发明的上述教导下，本领域技术人员可以在上述实施例的基础上进行其他的改进或变形。本领域技术人员应该明白，上述的具体描述只是更好的解释本发明的目的，本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

权利要求：I.一种透明导电I吴，其特征在于，所述透明导电I吴包括:透明基底和铜-还原氧^彳七石烯-核壳纳米线膜；、1所述铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜沉积在所述透明基底上。2.如权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明基底为玻璃或者聚合物。3.如权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述铜-还原氧化石墨烯—核壳膜的厚度是50纳米至250纳米。—’4.如权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米_膜的透光率是75%_95%。—5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述铜-还原氧化石墨稀-核壳纳米线|]莫自勺方^阻是10欧姆至100欧姆。6.—种光传输控制装置，其特征在于，所述装置包括:第一透明导电膜、第二透明导电膜以及填充在所述第一透明导电膜和所述第二透明导电膜之间的聚合物基质层；所述第一透明导电膜和或所述第二透明导电膜是如权利要求1-5任一项所述的透明导电膜，所述聚合物基质层填充在所述第一透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜和所述第二透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯_核壳纳米线膜之间。’7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述聚合物基质层包括聚合物基体材料和多个悬浮颗粒，每个所述悬浮颗粒包括悬浮介质和多个光偏振粒子；所述悬浮颗粒的悬浮介质材料不同于聚合物基体材料，且所述悬浮颗粒在聚合物基体材料中以液态或凝胶形式悬浮。8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述聚合物基体材料是交联聚硅氧烷或丙烯酸酯；若所述聚合物基体材料是丙烯酸酯，所述悬浮颗粒的悬浮介质材料是硅油或者三苯三酸异十三醇酯；所述悬浮颗粒的光偏振粒子是多卤化物，或二氧化钛，或碘硫酸奎宁。9.如权利要求7所述的装置，其特征在于，每个所述光偏振粒子的长度是100纳米至500纳米，直径是20纳米至1〇〇纳米。10.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述聚合物基质层的厚度为2〇微米至250微米。II.一种透明导电膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：制备所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜；将所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜转移至透明基底上，将所述透明基底上的所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜还原成铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜，所述透明基底和所述铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜组成透明导电膜。12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述制备所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜包括：搅拌氧化石墨烯和铜纳米线的异丙醇悬浮液的混合物，获得铜-氧化石墨烯-核壳纳米线的分散液；真空过滤所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线的分散液，获得所述铜氧化石墨烯核壳纳米膜。13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述将所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜转移至透明基底上还包括：对所述透明基底上的所述铜_氧化石墨稀-核壳纳米线膜施加预设压力值，并持续桌一预设时间。14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述将所述透明基底上的所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜还原成铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜包括：将所述透明基底以及所述透明基底上的所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜置于还原气氛中，在预设温度下进行热退火；或者，将所述透明基底以及所述透明基底上的所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜暴露在还原性环境中；经过第二预设时间后，将所述铜-氧化石墨烯-核壳纳米线膜置于还原气氛中，在预设温度下进行热退火。15.—种光传输控制装置的制备方法，其特征在于，所述方法包括：采用如权利要求11-14任一项所述的方法制备第一透明导电膜和第二透明导电膜；在制备的所述第一透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜和所述第二透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜之间填充聚合物基质，形成聚合物基质层；所述第一透明导电膜、所述第二透明导电膜和所述聚合物基质组成所述光传输控制装置。16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述透明基底为玻璃；所述在制备的所述第一透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜和所述第二透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜之间填充聚合物基质，形成聚合物基质层包括：在所述第一透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜上，利用间隔垫圈围成预设填充空间；将所述聚合物基质填充到由间隔垫圈围成的预设填充空间中；使用所述第二透明导电膜覆盖在填充好的所述聚合物基质上；将所述第一透明导电膜、第二透明导电膜连同填充好的聚合物基质进行紫外线光固化，形成所述聚合物基质层。17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述透明基底为聚合物；所述在制备的所述第一透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜和所述第二透明导电膜的铜-还原氧化石墨烯-核壳纳米线膜之间填充聚合物基质，形成聚合物基质层包括：将所述聚合物基质刮涂在所述第一透明导电膜上；将所述第一透明导电膜上的聚合物基质进行紫外线光固化，形成所述聚合物基质层；使用所述第二透明导电膜覆盖在在所述聚合物基质层上。

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