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申请/专利权人：盛美半导体设备(上海)股份有限公司;盛美半导体设备韩国有限公司;清芯科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体芯片制造技术领域，具体为一种实时监控晶圆翘曲的方法及装置。在晶圆沉积薄膜的过程中，实时监控加热托盘上的每个加热区域的加热功率变化率，其中，所述加热托盘包括至少两个加热区域，每个加热区域处于设定的恒温控制状态，晶圆设置在所述至少两个加热区域上，所述晶圆具有对应于每个所述加热区域的晶圆区域；根据所述加热功率变化率判断其所对应的晶圆区域是否脱离所述加热托盘。在薄膜沉积的过程中，通过监控加热功率的变化情况从而实时监控晶圆翘曲度变化量，无须借助额外的量测机台。
主权项：1.一种实时监控晶圆翘曲的方法，其特征在于，包括：在晶圆沉积薄膜的过程中，实时监控加热托盘上的每个加热区域的加热功率变化率ΔPP0，其中，ΔP为加热区域的加热功率变化量，P0为初始状态加热区域的加热功率，所述加热托盘包括至少两个加热区域，每个加热区域处于设定的恒温控制状态，晶圆设置在所述至少两个加热区域上，所述晶圆具有对应于每个所述加热区域的晶圆区域；以及根据所述加热功率变化率ΔPP0判断其所对应的晶圆区域是否脱离所述加热托盘。
全文数据：
权利要求：
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